[发明专利]薄膜晶体管基板及其制作方法、像素结构、显示装置在审
| 申请号： | 201810004166.9 | 申请日： | 2018-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN108565246A | 公开（公告）日： | 2018-09-21 |
| 发明（设计）人： | 李梁梁;刘正;林滨 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;福州京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 刘延喜 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 吸光层 薄膜晶体管基板 衬底基板 显示装置 制作 非透光区域 金属导电层 金属靶材 像素结构 过渡层 源漏极 光生载流子 金属氧化膜 镜面反射 刻蚀工艺 透光区域 显示组件 光反射 环境光 窄边框 遮光层 透光 去除 吸光 预设 源层 遮挡 氧气 | ||
1.一种薄膜晶体管基板的制作方法，其特征在于，包括：
利用包含有金属靶材的材料，在衬底基板上形成过渡层；
在形成过渡层的过程中通入氧气，以使所述金属靶材氧化形成能够吸光的吸光层；
在所述吸光层上形成源漏极金属导电层；
通过刻蚀工艺，将预设透光区域的吸光层和源漏极金属导电层一并去除。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述金属靶材包括钼、钼合金、钛、钛合金或钼钛合金中的一种。
3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，通过溅射工艺在所述衬底基板上形成过渡层；沉积时，以500sccm-700sccm的速率通入惰性气体。
4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述通入氧气的速率为600sccm-800sccm，所述吸光层的厚度为所述吸光层包括金属氧化物。
5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述通入氧气的同时，还通入氮气，以形成包括有金属氮氧化物的吸光层。
6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述通过刻蚀工艺，将预设透光区域的吸光层和源漏极金属导电层一并去除的步骤，包括：
在所述源漏极金属导电层上覆涂光刻胶；
对所述预设透光区域进行曝光处理，以去除所述预设透光区域的光刻胶；
对经曝光处理的基板结构进行第一次刻蚀处理，以将预设透光区域的吸光层和源漏极金属导电层一并去除。
7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，还包括：
在对所述预设透光区域进行曝光处理的同时，对预设源漏极间隔区域进行半曝光处理；
在对经曝光处理的基板结构进行第一次刻蚀处理后，对预设源漏极间隔区域进行灰化处理，以去除所述预设源漏极间隔区域的光刻胶；
将已进行灰化处理的基板结构进行第二次刻蚀处理，以将所述预设源漏极间隔区域的源漏极金属导电层去掉。
8.一种薄膜晶体管基板，其特征在于，该薄膜晶体管基板采用权利要求1-7任一项所述的制作方法制作而成。
9.一种像素结构，其特征在于，包括权利要求8所述的薄膜晶体管基板。
10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求8所述的薄膜晶体管基板。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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