[发明专利]薄膜晶体管基板及其制作方法、像素结构、显示装置

说明书

本发明提供了一种薄膜晶体管基板及其制作方法、像素结构、显示装置，所述薄膜晶体管基板的制作方法包括：利用包含有金属靶材的材料，在衬底基板上形成过渡层；在形成过渡层的过程中通入氧气，以使所述金属靶材氧化形成能够吸光的吸光层；在所述吸光层上形成源漏极金属导电层；通过刻蚀工艺，将预设透光区域的吸光层和源漏极金属导电层一并去除。本发明在衬底基板的非透光区域制作吸光层，以减少衬底基板在非透光区域的光反射，进而减少TFT基板外表面对环境光的镜面反射；同时，该金属氧化膜层还可作为遮光层，对不需要透光的位置进行遮挡，减少了有源层的光生载流子产生，改善TFT基板特性；尤其适合于制作窄边框和/或曲面的显示组件或显示装置。

技术领域

本发明涉及显示技术，尤其是一种薄膜晶体管基板及其制作方法、像素结构、显示装置。

背景技术

现有的四边窄边框甚至无边框显示面板的解决方案是将薄膜晶体管基板(ThinFilm Transistor，简称TFT基板)放置在观看侧，彩膜基板(Color Filter，简称CF基板)放置在背光侧，可以大幅度地窄化印刷电路板(Printed Circuit Board，简称PCB)的贴合边框。但是阵列基板(Array)的金属电极线存在反光现象，特别是外界光线较强时，TFT基板的外表面形成的镜面反射现象比较严重，对显示面板(Panel)的出射光造成干扰，从而影响显示面板的屏幕显示。对于这种金属电极线的反光现象，目前的解决方法一般是增加一道甚至几道掩膜版(mask)，来制备遮挡反光的其它图层；由于掩膜版与其它图形之间、以及几道掩膜版之间的对位和不良率问题，会对显示面板的开口率和良品率等造成影响，而且增加新的图层会增加TFT基板的段差，增加薄膜晶体管基板与彩膜基板的嵌入工艺(Cell工艺)的难度。

目前有采用有机材料的黑色矩阵(Black Matrix，简称BM)来减少TFT基板外表面的镜面反射现象，但印刷这种BM需要单独制作掩膜版，由于该掩膜版与其它各层的对位误差，故对显示面板的开口率有一定影响；尤其是，如果BM的对位偏移过大，不仅不能完全遮挡金属电极线，还会使金属电极线劣化，漏电电流增大。

发明内容

本发明的目的旨在至少解决上述技术缺陷之一，特别是解决薄膜晶体管基板外表面的镜面反射的问题。

本发明提出一种薄膜晶体管基板的制作方法，包括：

利用包含有金属靶材的材料，在衬底基板上形成过渡层；

在形成过渡层的过程中通入氧气，以使所述金属靶材氧化形成能够吸光的吸光层；

在所述吸光层上形成源漏极金属导电层；

通过刻蚀工艺，将预设透光区域的吸光层和源漏极金属导电层一并去除。

优选地，所述金属靶材包括钼、钼合金、钛、钛合金或钼钛合金中的一种。

优选地，通过溅射工艺在所述衬底基板上形成过渡层；沉积时，以500sccm-700sccm的速率通入惰性气体。

进一步地，所述通入氧气的速率为600sccm-800sccm，所述吸光层的厚度为所述吸光层包括金属氧化物。

优选地，所述通入氧气的同时，还通入氮气，以形成包括有金属氮氧化物的吸光层。

优选地，所述通过刻蚀工艺，将预设透光区域的吸光层和源漏极金属导电层一并去除的步骤，包括：

在所述源漏极金属导电层上覆涂光刻胶；

对所述预设透光区域进行曝光处理，以去除所述预设透光区域的光刻胶；

对经曝光处理的基板结构进行第一次刻蚀处理，以将预设透光区域的吸光层和源漏极金属导电层一并去除。

进一步地，还包括：在对所述预设透光区域进行曝光处理的同时，对预设源漏极间隔区域进行半曝光处理；