[发明专利]显示装置、阵列基板、栅极驱动电路、晶体管及制造方法在审
| 申请号： | 201810004554.7 | 申请日： | 2018-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN108231756A | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 冯艳荣;方冲;冯耀耀;张晗;张世举 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/01 | 分类号： | H01L27/01;G09F9/33 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 王辉;阚梓瑄 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 栅极驱动电路 晶体管 互相连接 阵列基板 栅极层 源层 显示装置 漏极线 源极线 方向间隔 非显示区 现实技术 源漏极 栅极线 源漏 制造 | ||
1.一种晶体管，用于栅极驱动电路，所述栅极驱动电路设于阵列基板的非显示区，其特征在于，所述晶体管包括：
栅极层，包括沿第一方向分布且互相连接的多个栅极线；
有源层，设于所述栅极层上；
源漏极层，设于所述有源层上，且包括沿第二方向间隔分布的多个源极线和多个漏极线，多个所述源极线互相连接，多个所述漏极线互相连接，所述第二方向与所述第一方向不同。
2.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述栅极层还包括边框，多个所述栅极线均设于所述边框内，且均与所述边框连接。
3.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述有源层包括多个有源条，多个所述有源条一一对应的设于多个所述栅极线上。
4.根据权利要求1或3所述的晶体管，其特征在于，所述有源层的材料为铟镓锌氧化物。
5.根据权利要求1-3任一项所述的晶体管，其特征在于，相邻两所述源极线间仅设有一个所述漏极线，相邻两所述漏极线间仅设有一个所述源极线。
6.根据权利要求1-3任一项所述的晶体管，其特征在于，所述第一方向与所述第二方向垂直。
7.一种晶体管制造方法，其特征在于，包括：
形成栅极层，所述栅极层包括沿第一方向分布且互相连接的多个栅极线；
在所述栅极层上形成有源层；
在所述有源层上形成源漏极层，所述源漏极层包括沿第二方向间隔分布的多个源极线和多个漏极线，多个所述源极线互相连接，多个所述漏极线互相连接，所述第二方向与所述第一方向不同。
8.一种栅极驱动电路，其特征在于，包括权利要求1-6任一项所述的晶体管。
9.一种阵列基板，具有显示区和所述显示区周边的非显示区，其特征在于，所述阵列基板包括：
衬底基板；
权利要求8所述的栅极驱动电路，设于所述衬底基板上，且所述栅极驱动电路位于所述非显示区。
10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求9所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
