[发明专利]显示装置、阵列基板、栅极驱动电路、晶体管及制造方法在审
申请号: | 201810004554.7 | 申请日: | 2018-01-03 |
公开(公告)号: | CN108231756A | 公开(公告)日: | 2018-06-29 |
发明(设计)人: | 冯艳荣;方冲;冯耀耀;张晗;张世举 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/01 | 分类号: | H01L27/01;G09F9/33 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 王辉;阚梓瑄 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 栅极驱动电路 晶体管 互相连接 阵列基板 栅极层 源层 显示装置 漏极线 源极线 方向间隔 非显示区 现实技术 源漏极 栅极线 源漏 制造 | ||
本公开提供一种显示装置、阵列基板、栅极驱动电路、晶体管及制造方法。涉及现实技术领域。本公开的晶体管用于栅极驱动电路,该栅极驱动电路设于阵列基板的非显示区。该晶体管包括栅极层、有源层和源漏层。栅极层包括沿第一方向分布且互相连接的多个栅极线。有源层设于栅极层上。源漏极层设于有源层上,且包括沿第二方向间隔分布的多个源极线和多个漏极线,多个源极线互相连接,多个漏极线互相连接,第二方向与第一方向不同。
技术领域
本公开涉及显示技术领域,具体而言,涉及一种显示装置、阵列基板、栅极驱动电路、晶体管及制造方法。
背景技术
阵列基板行驱动(Gate Driver on Array,即GOA)是一种用于阵列基板的驱动技术。可将栅极驱动电路直接制作在阵列基板的非显示区,从而免于外接栅极驱动电路,具有低成本、低功耗、窄边框等优点。其中,薄膜晶体管是栅极驱动电路的重要元件。如图1所示,现有的栅极驱动电路中的薄膜晶体管一般包括自下而上设置的栅极层1a、有源层2a和源漏极层,其中,栅极层1a为一连续且完整的平面。源漏极层包括多个源极线3a和多个漏极线4a,源极线3a和漏极线4a可作为驱动阵列基板的数据线。
在阵列基板的生产中,栅极层1a和源漏极层之间可能会存在金属颗粒物等杂质,导致栅极层1a和源漏极层在杂质所处位置出现短路,影响正常驱动,造成显示不良。若通过激光对杂质所在区域进行切割,可能会导致源极线3a或漏极线4a与栅极层1a熔接,导致新的短路。因而,现有技术中,在维修杂质引起的短路时,通常要将出现杂质的源极线3a或漏极线4a整个切割掉,以消除短路。但是,这种方式对薄膜晶体管造成的损伤较大,影响驱动信号的正常输出。
需要说明的是,在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解,因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本公开的目的在于提供一种显示装置、阵列基板、栅极驱动电路及薄膜晶体管,降低杂质造成短路的发生率,并可减小维修时的切割区域,降低对驱动信号的影响。
根据本公开的一个方面,提供一种晶体管,用于栅极驱动电路,所述栅极驱动电路设于阵列基板的非显示区,所述晶体管包括:
栅极层,包括沿第一方向分布且互相连接的多个栅极线;
有源层,设于所述栅极层上;
源漏极层,设于所述有源层上,且包括沿第二方向间隔分布的多个源极线和多个漏极线,多个所述源极线互相连接,多个所述漏极线互相连接,所述第二方向与所述第一方向不同。
在本公开的一种示例性实施例中,所述栅极层还包括边框,多个所述栅极线均设于所述边框内,且均与所述边框连接。
在本公开的一种示例性实施例中,所述有源层包括多个有源条,多个所述有源条一一对应的设于多个所述栅极线上。
在本公开的一种示例性实施例中,所述有源层的材料为铟镓锌氧化物。
在本公开的一种示例性实施例中,相邻两所述源极线间仅设有一个所述漏极线,相邻两所述漏极线间仅设有一个所述源极线。
在本公开的一种示例性实施例中,所述第一方向与所述第二方向垂直。
根据本公开的一个方面,提供一种晶体管制造方法,包括:
形成栅极层,所述栅极层包括沿第一方向分布且互相连接的多个栅极线;
在所述栅极层上形成有源层;
在所述有源层上形成源漏极层,所述源漏极层包括沿第二方向间隔分布的多个源极线和多个漏极线,多个所述源极线互相连接,多个所述漏极线互相连接,所述第二方向与所述第一方向不同。
根据本公开的一个方面,提供一种栅极驱动电路,包括上述任意一项所述的晶体管。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的