[发明专利]发光二极管及其制备方法、照明装置有效
| 申请号： | 201810004954.8 | 申请日： | 2018-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN108231967B | 公开（公告）日： | 2019-06-04 |
| 发明（设计）人： | 胡威威;高锦成;惠官宝 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/22;H01L33/24;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 曲鹏;张京波 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 发光功能层 漫射结构 光线传输 全反射 衬底 外量子效率 出光效率 技术手段 显示装置 照明装置 减小 制备 应用 制造 | ||
1.一种发光二极管，其特征在于，包括衬底以及设置在所述衬底上的发光功能层，所述发光功能层中设置有用于改变光线传输路径的漫射结构；
所述发光功能层包括在所述衬底上依次设置的第一有源层、量子阱、第二有源层、欧姆接触层和导电层，所述漫射结构设置在所述欧姆接触层中；
所述欧姆接触层包括第一掺杂层和第二掺杂层，所述第一掺杂层设置在所述第二有源层上，表面形成有规则排布的多个棱锥形，所述第二掺杂层设置在所述第一掺杂层上，使所述第一掺杂层和第二掺杂层之间的接触面形成漫射结构。
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一有源层包括n型有源层，所述第二有源层包括p型有源层，所述第一掺杂层包括p型重掺杂层，厚度为20～500nm，所述第二掺杂层包括n型重掺杂层，厚度为20～500nm。
3.根据权利要求1或2所述的发光二极管，其特征在于，所述棱锥形的高度为10～2000nm，或者，所述棱锥形的高度为0.1λ～5λ，λ为量子阱发出光的波长。
4.一种照明装置，其特征在于，包括如权利要求1～3任一所述的发光二极管。
5.一种发光二极管的制备方法，其特征在于，包括：
在衬底上形成发光功能层，所述发光功能层中形成有用于改变光线传输路径的漫射结构，包括：
在衬底上依次生长第一有源层、量子阱、第二有源层；
在所述第二有源层上生长p型重掺杂层，对p型重掺杂层进行湿法腐蚀处理，在所述p型重掺杂层的表面形成规则排布的多个棱锥形；
在所述p型重掺杂层上生长n型重掺杂层，使所述p型重掺杂层和n型重掺杂层之间的接触面形成漫射结构。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，对p型重掺杂层进行湿法腐蚀处理，包括：
在p型重掺杂层的表面上涂布4～8mol/L的氢氧化钾或磷酸溶液，腐蚀2～30min，使所述p型重掺杂层的表面形成规则排布的多个棱锥形，腐蚀深度为10～2000nm，或者，腐蚀深度为0.1λ～5λ，λ为量子阱发出光的波长。
7.根据权利要求5或6所述的制备方法，其特征在于，
在衬底上依次生长第一有源层、量子阱、第二有源层，包括：在衬底上依次生长n型有源层、量子阱、p型有源层；
在所述第二有源层上生长p型重掺杂层，包括：在p型有源层上生长厚度为20～500nm的p型重掺杂层；
在所述p型重掺杂层上生长n型重掺杂层，包括：在p型重掺杂层上生长厚度为20～500nm的n型重掺杂层。
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