[发明专利]掩模板及制备方法、膜层制备方法和封装结构

权利要求书

1.一种掩模板，所述掩模板至少划分为透过区和遮挡区，其特征在于，所述掩模板包括基体，在所述遮挡区邻接所述透过区的边缘、垂直于所述基体所在平面的方向上设置有凸块，所述凸块在靠近所述透过区处的高度大于远离所述透过区处的高度。

2.根据权利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述凸块向所述透过区延伸、并部分悬空设置在所述透过区。

3.根据权利要求2所述的掩模板，其特征在于，在从所述遮挡区指向所述透过区的方向上，所述凸块向所述透过区悬空延伸的尺寸范围为所述凸块的整体尺寸的1/4-1/2。

4.根据权利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述凸块的高度在从所述透过区指向所述遮挡区的方向上逐渐减小。

5.根据权利要求1-4任一项所述的掩模板，其特征在于，所述凸块在垂直于所述基体所在平面的、由所述透过区指向所述遮挡区方向的截面形状为梯形或三角形。

6.一种掩模板的制备方法，包括形成透过区和遮挡区的步骤，其特征在于，基体在所述遮挡区邻接所述透过区的边缘、垂直于所述基体所在平面的方向上形成凸块，所述凸块在靠近所述透过区处的高度大于远离所述透过区处的高度。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述凸块的高度在从所述透过区指向所述遮挡区的方向上逐渐减小。

8.根据权利要求6或7所述的制备方法，其特征在于，包括步骤：

通过构图工艺，使基块对应着所述凸块的区域的高度大于对应着所述遮挡区未设置所述凸块的区域的高度，且在对应着所述凸块的区域形成高度为由对应着所述透过区的区域向对应着所述遮挡区未设置所述凸块的区域逐渐减小的斜坡结构；

通过构图工艺，去除所述基块对应着所述透过区的未设置所述凸块的区域，保留对应着所述凸块和所述遮挡区的区域。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，形成包括所述斜坡结构的构图工艺包括：

半曝光工艺和干刻工艺组合；或者，

曝光工艺、硬烘工艺和干刻工艺组合；或者，

曝光工艺和湿刻工艺组合。

10.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，还包括使所述凸块向所述透过区延伸、并部分悬空设置在所述透过区的步骤：

在去除所述基块对应着所述透过区的未设置所述凸块的区域，保留对应着所述凸块和所述遮挡区的区域的步骤中包括：

在所述基块形成有所述凸块的一侧进行正面构图工艺，所述正面构图工艺对应形成以相对的所述凸块的间距范围为限的凹槽；

在未形成有所述凸块的一侧进行反面构图工艺，所述反面构图工艺对应形成以相对的所述基体的间距范围为限的开口。

11.一种膜层制备方法，其特征在于，采用权利要求1-5任一项所述的掩模板成膜。

12.根据权利要求11所述的膜层制备方法，其特征在于，所述膜层为封装结构中的膜层，所述膜层包括第一无机膜层和第二无机膜层，所述第一无机膜层和所述第二无机膜层采用气相沉积法形成。

13.根据权利要求12所述的膜层制备方法，其特征在于，包括步骤：

采用第一掩模板形成所述第一无机膜层，所述第一掩模板在遮挡区邻接透过区的边缘、垂直于基体所在平面的方向上设置有第一凸块；

形成有机膜层；

采用第二掩模板形成所述第二无机膜层，所述第二掩模板在遮挡区邻接透过区的边缘、垂直于基体所在平面的方向上设置有第二凸块；

其中，所述第一凸块和所述第二凸块靠近所述透过区的高度大于远离所述透过区的高度。

14.根据权利要求13所述的膜层制备方法，其特征在于，所述第一凸块的最大高度，大于所述第二凸块的最大高度。

15.一种封装结构，包括第一无机膜层和第二无机膜层，其特征在于，采用权利要求11-14任一项所述的膜层制备方法形成所述第一无机膜层和所述第二无机膜层。