[发明专利]纳米压印的方法

权利要求书

1.一种纳米压印的方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供衬底，在所述衬底表面形成聚合物层；

将所述聚合物层加热至软化，并对所述聚合物层远离所述衬底的一侧进行第一次压印，以在所述聚合物层上形成具有多个光栅线的第一纳米压印图形；及

将所述聚合物层加热至软化，再对所述第一纳米压印图形进行第二次压印，以得到更精细的纳米压印图形。

2.根据权利要求1所述的纳米压印的方法，其特征在于，所述对所述聚合物层远离所述衬底的一侧进行第一次压印的步骤中，使用第一压印模板对所述聚合物层远离所述衬底的一侧进行第一次压印；所述对所述第一纳米压印图形进行第二次压印的步骤中，使用第二压印模板对所述第一纳米压印图形进行第二次压印，其中，所述第一压印模板上具有第一纳米光栅图形，所述第二压印模板上具有第二纳米光栅图形，所述第二纳米光栅图形的光栅周期大于所述第一纳米光栅图形的光栅周期。

3.根据权利要求2所述的纳米压印的方法，其特征在于，所述第一纳米光栅图形的光栅周期为100nm～600nm，所述第二纳米光栅图形的光栅周期为1μm～5μm。

4.根据权利要求1所述的纳米压印的方法，其特征在于，所述衬底选自Si衬底、SiO₂衬底、氮化硅衬底、有机玻璃衬底及ITO玻璃衬底中的一种。

5.根据权利要求1所述的纳米压印的方法，其特征在于，所述聚合物层的厚度为25nm～130nm。

6.根据权利要求1所述的纳米压印的方法，其特征在于，所述在所述衬底表面形成聚合物层的步骤具体为：在所述衬底的表面涂覆浆料，其中，所述浆料包括聚合物，所述聚合物选自聚乙烯醇、聚乙烯醇的硅化物、聚乙烯醇的氟化物、聚甲基丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸甲酯的硅化物、聚甲基丙烯酸甲酯的氟化物、3-己基噻吩聚合物、3-己基噻吩聚合物的硅化物、3-己基噻吩聚合物的氟化物、聚二甲基硅氧烷、聚二甲基硅氧烷的硅化物及聚二甲基硅氧烷的氟化物中的一种。

7.根据权利要求6所述的纳米压印的方法，其特征在于，在所述衬底的表面涂覆所述浆料的步骤具体为：在所述衬底的表面旋涂所述料浆，其中，旋涂的时间为20s～35s，旋涂的起始转速为180r/min～250r/min，旋涂的加速度为80rpm/s～120rpm/s。

8.根据权利要求1所述的纳米压印的方法，其特征在于，所述对所述聚合物层远离所述衬底的一侧进行第一次压印的步骤具体为：以400N/cm²～500N/cm²的压强对所述聚合物层远离所述衬底的一侧进行第一次压印，并保压5min～10min；及/或，所述对所述第一纳米压印图形进行第二次压印的步骤具体为：以400N/cm²～500N/cm²的压强对所述第一纳米压印图形进行第二次压印，并保压5min～10min。

9.根据权利要求2所述的纳米压印的方法，其特征在于，所述对所述聚合物层远离所述衬底的一侧进行第一次压印的步骤之前，还包括在所述第一压印模板表面形成防粘连层的步骤；及/或，所述对所述第一纳米压印图形进行第二次压印的步骤之前，还包括在所述第二压印模板表面形成防粘连层的步骤。

10.根据权利要求9所述的纳米压印的方法，其特征在于，所述防粘连层为烷基硅烷层。