[发明专利]纳米压印的方法

说明书

本发明涉及一种纳米压印的方法。一种纳米压印的方法，包括以下步骤：提供衬底，在衬底表面形成聚合物层；将聚合物层加热至软化，并对聚合物层远离衬底的一侧进行第一次压印，以在聚合物层上形成具有多个光栅线的第一纳米压印图形；及将聚合物层加热至软化，再对第一纳米压印图形进行第二次压印，以得到更精细的纳米压印图形。上述纳米压印的方法能够得到更精细的纳米压印图形；同时，不需要制作更精细的模板，在现有模板的基础上就可以制得更精细的纳米压印图形，不仅能够降低模板的制作时间和成本，而且还能够保证和提高纳米压印图形的产出率和良品率。

技术领域

本发明涉及纳米压印技术领域，特别是涉及一种纳米压印的方法。

背景技术

自从华裔科学家Stephen Chou于1995年提出纳米压印概念至今，纳米压印技术已经发展为科技革命中的核心纳米技术之一。纳米压印技术克服了光刻技术中由于衍射导致的分辨率限制，目前分辨率已经达到了5nm以下，从而为制造小尺寸、高密度集成电路提供了有力的支持。目前，纳米压印技术已经形成了热压印、软刻蚀和紫外压印等三种主要类型。随着微纳米设备技术的发展，对设备纳米尺度的要求越来越精细，然而更精细的模板很难制作，即使模板制作出来，制作的时间特别长，成本也特别高，纳米压印图形的产出率和良品率都无法保证。

发明内容

基于此，提供一种可得到更精细的纳米压印图形的纳米压印的方法。

一种纳米压印的方法，包括以下步骤：

提供衬底，在衬底表面形成聚合物层；

将聚合物层加热至软化，并对聚合物层远离衬底的一侧进行第一次压印，以在聚合物层上形成具有多个光栅线的第一纳米压印图形；及

将聚合物层加热至软化，再对第一纳米压印图形进行第二次压印，以得到更精细的纳米压印图形。

上述纳米压印的方法通过对聚合物层远离衬底的一侧进行两次压印，且第二次压印压在第一纳米光栅图形上，而使聚合物层远离衬底的一侧发生两次形变，使第一纳米光栅图形的光栅间距进一步减小，而得到更精细的纳米压印图形；同时，不需要制作更精细的模板，在现有模板的基础上就可以制得更精细的纳米压印图形，不仅能够降低模板的制作时间和成本，而且还能够保证和提高纳米压印图形的产出率和良品率。

在其中一个实施例中，对聚合物层远离衬底的一侧进行第一次压印的步骤中，使用第一压印模板对聚合物层远离衬底的一侧进行第一次压印；对第一纳米压印图形进行第二次压印的步骤中，使用第二压印模板对第一纳米压印图形进行第二次压印，其中，第一压印模板上具有第一纳米光栅图形，第二压印模板上具有第二纳米光栅图形，第二纳米光栅图形的光栅周期大于第一纳米光栅图形的光栅周期。

在其中一个实施例中，第一纳米光栅图形的光栅周期为100nm～600nm，第二纳米光栅图形的光栅周期为1μm～5μm。

在其中一个实施例中，衬底选自Si衬底、SiO₂衬底、氮化硅衬底、有机玻璃衬底及ITO玻璃衬底中的一种。

在其中一个实施例中，聚合物层的厚度为25nm～130nm。

在其中一个实施例中，在衬底表面形成聚合物层的步骤具体为：在衬底的表面涂覆浆料，其中，浆料包括聚合物，聚合物选自聚乙烯醇、聚乙烯醇的硅化物、聚乙烯醇的氟化物、聚甲基丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸甲酯的硅化物、聚甲基丙烯酸甲酯的氟化物、3-己基噻吩聚合物、3-己基噻吩聚合物的硅化物、3-己基噻吩聚合物的氟化物、聚二甲基硅氧烷、聚二甲基硅氧烷的硅化物及聚二甲基硅氧烷的氟化物中的一种。

在其中一个实施例中，在衬底的表面涂覆浆料的步骤具体为：在衬底的表面旋涂料浆，其中，旋涂的时间为20s～35s，旋涂的起始转速为180r/min～250r/min，旋涂的加速度为80rpm/s～120rpm/s。