[发明专利]一种电子设备面板及包含其的电子设备

权利要求书

1.一种电子设备面板，其特征在于，所述电子设备面板为硅酸锂微晶玻璃；

所述硅酸锂微晶玻璃由玻璃母相，以及分散在所述玻璃母相中的硅酸锂晶体组成；

所述硅酸锂微晶玻璃的断裂韧性为1.27～1.76MPa·m^1/2；

所述硅酸锂微晶玻璃在380nm～780nm波长范围的透光率在90％以上；

所述硅酸锂微晶玻璃中，硅酸锂晶体的粒径小于30nm；

所述硅酸锂微晶玻璃是通过对基础玻璃进行一次热处理后得到；所述一次热处理的温度为500～750℃；

所述基础玻璃按重量百分比由如下组分组成：

所述基础玻璃各组分的重量百分含量之和为100％，并且SiO₂与Li₂O的质量比为(4～5):1。

2.如权利要求1所述的电子设备面板，其特征在于，所述电子设备为手机、平板、电脑或电视中的任意一种。

3.根据权利要求1所述的电子设备面板，其特征在于，所述硅酸锂微晶玻璃中，硅酸锂晶体的粒径小于20nm。

4.如权利要求1所述的电子设备面板，其特征在于，所述硅酸锂微晶玻璃的制备过程中，对基础玻璃的热处理的时间为1min以上。

5.如权利要求4所述的电子设备面板，其特征在于，所述硅酸锂微晶玻璃的制备过程中，对基础玻璃的热处理的时间为1～60min。

6.如权利要求5所述的电子设备面板，其特征在于，所述硅酸锂微晶玻璃的制备过程中，对基础玻璃的热处理的时间为5～30min。

7.如权利要求6所述的电子设备面板，其特征在于，所述一次热处理的温度为550～700℃，时间为10～30min。

8.如权利要求1所述的电子设备面板，其特征在于，所述基础玻璃按重量百分比由如下组分组成：

所述基础玻璃各组分的重量百分含量之和为100％，并且SiO₂与Li₂O的质量比为(4～5):1。

9.如权利要求8所述的电子设备面板，其特征在于，所述基础玻璃以重量百分含量计包括以下组分：

所述基础玻璃中各组分的重量百分含量之和为100％，并且SiO₂与Li₂O的质量比为(4～5):1。

10.如权利要求1所述的电子设备面板，其特征在于，所述成核剂选自五氧化二磷、二氧化锆或二氧化钛中的任意1种或至少2种的组合。

11.如权利要求1所述的电子设备面板，其特征在于，所述着色剂为氧化物和/或颜料；所述氧化物选自氧化铁、氧化钛、氧化铈、氧化铜、氧化铬、氧化镍、氧化锰、氧化硒、氧化银、氧化铟、氧化金或稀土氧化物中的任意1种或至少2种的组合；所述稀土氧化物为氧化钕、氧化镨或氧化钐中的任意1种或至少2种的组合。

12.如权利要求1所述的电子设备面板，其特征在于，所述硅酸锂微晶玻璃的制备方法包括如下步骤：

(1)将制备基础玻璃的原料混合，进行球磨，然后熔融后，经过成型、退火得到基础玻璃；

(2)将步骤(1)得到的基础玻璃升温至500～750℃进行一次热处理，得到硅酸锂微晶玻璃。

13.如权利要求12所述的电子设备面板，其特征在于，所述制备基础玻璃的原料中，成核剂以成核剂前驱体的形式加入，着色剂以着色剂前驱体的形式加入。

14.如权利要求13所述的电子设备面板，其特征在于，当成核剂为P₂O₅时，成核剂原料为磷酸二氢铵和/或磷酸氢二铵。