[发明专利]具有电流阻挡层的发光元件有效

专利信息
申请号: 201810008733.8 申请日: 2018-01-04
公开(公告)号: CN108281523B 公开(公告)日: 2023-02-03
发明(设计)人: 金艺瑟;金京完;金智惠;禹尚沅 申请(专利权)人: 首尔伟傲世有限公司
主分类号: H01L33/14 分类号: H01L33/14;H01L33/46
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 孙昌浩;李盛泉
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 具有 电流 阻挡 发光 元件
【权利要求书】:

1.一种发光元件,其中,包括:

第一导电型半导体层;

第二导电型半导体层;

活性层,布置于所述第一导电型半导体层与所述第二导电型半导体层之间;

电流阻挡层,布置于所述第二导电型半导体层之上;

透明电极层,覆盖所述电流阻挡层;

第一电极,电连接于所述第一导电型半导体层;

第二电极,位于所述透明电极层之上,电连接于所述透明电极层,且包括第二电极焊盘以及从所述第二电极焊盘延伸的第二电极延伸部;以及

第二反射层,布置于所述第二电极与所述透明电极层之间,

其中,所述第二电极焊盘及第二电极延伸部分别覆盖所述电流阻挡层的至少一部分,

所述电流阻挡层包括:

第一电流阻挡区域,对应于所述第二电极焊盘;以及

第二电流阻挡区域,对应于所述第二电极延伸部,

所述第二电流阻挡区域的宽度大于所述第二电极延伸部的宽度。

2.如权利要求1所述的发光元件,其中,

所述第二反射层包括折射率不同的电介质层。

3.如权利要求1所述的发光元件,其中,

所述第二电极限定为位于所述电流阻挡层的上部区域之内。

4.如权利要求1所述的发光元件,其中,

所述第二反射层包括布置于所述第二电极焊盘与所述第一电流阻挡区域之间且具有至少一个凹陷部的反射层。

5.如权利要求4所述的发光元件,其中,

所述凹陷部位于所述电流阻挡层的上部区域之内,

所述第二电极焊盘的下表面的至少一部分通过所述第二反射层的至少一个凹陷部与所述透明电极层连接。

6.如权利要求1所述的发光元件,其中,

所述第二反射层包括所述第二电极延伸部与所述透明电极层之间的多个点状的反射层,且所述反射层的宽度大于所述第二电极延伸部的宽度。

7.如权利要求6所述的发光元件,其中,

所述多个点状的反射层限定为位于所述电流阻挡层的上部区域之内。

8.如权利要求1所述的发光元件,其中,还包括:

绝缘层,位于所述第一电极的下部;以及

第一反射层,位于所述第一电极与所述绝缘层之间。

9.如权利要求8所述的发光元件,其中,

所述第一电极包括第一电极焊盘以及从所述第一电极焊盘延伸的第一电极延伸部,

所述第一电极焊盘位于所述第二导电型半导体层的上部,

所述绝缘层使所述第一电极焊盘与所述第二导电型半导体层绝缘。

10.如权利要求9所述的发光元件,其中,

所述第一反射层包括反射层,所述反射层位于所述第一电极焊盘与所述第二导电型半导体层之间,且所述反射层的宽度小于所述绝缘层的宽度并大于所述第一电极焊盘的宽度。

11.如权利要求10所述的发光元件,其中,

所述第一反射层包括所述第一电极延伸部下方的多个点状的反射层,所述反射层的宽度大于所述第一电极延伸部的宽度。

12.如权利要求11所述的发光元件,其中,

所述第二反射层包括位于所述第二电极延伸部与所述透明电极层之间的多个点状的反射层,且所述反射层的宽度大于所述第二电极延伸部的宽度,

所述第二反射层的多个点状与所述第一反射层的多个点状相互交错布置。

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