[发明专利]具有电流阻挡层的发光元件

说明书

本发明提供一种高效率的具有电流阻挡层的发光元件。此发光元件包括：第一导电型半导体层；第二导电型半导体层；活性层，布置于所述第一导电型半导体层与所述第二导电型半导体层之间；电流阻挡层，布置于所述第二导电型半导体层上；透明电极层，覆盖所述电流阻挡层；第一电极，电连接于所述第一导电型半导体层；第二电极，位于所述透明电极层上，并电连接于所述透明电极层，且包括第二电极焊盘以及从所述第二电极焊盘延伸的第二电极延伸部；以及第二反射层，布置于所述第二电极与所述透明电极层之间，其中，所述第二电极焊盘及第二电极延伸部分别覆盖所述电流阻挡层的至少一部分。

技术领域

本发明涉及一种发光元件，尤其涉及一种具有电流阻挡层的发光元件。

背景技术

发光元件通过电子与空穴的复合而发光。发光元件通常包括n型半导体层、活性层、p型半导体层以及用于供应电力的焊盘电极，并且采用用于促进半导体层内电流分散的透明电极和/或电极延伸部。进而，在焊盘电极或从焊盘电极延伸的电极延伸部的下部可以布置用于促进电流的水平分散的电流阻挡层(CBL：Current blocking layer)。

但是，在活性层生成而向焊盘电极或电极延伸部行进的光的一部分可能被焊盘电极或电极延伸部吸收。为了防止这种情况，电流阻挡层可以由包括多个电介质层的分布式布拉格反射器(DBR：Distributed Bragg Reflector)构成，从而反射向焊盘电极及电极延伸部行进的光。

另外，透明电极通常形成于p型半导体层上，为了降低透明电极与半导体层的接触电阻，沉积透明电极材料层后，执行快速热处理(Rapid Thermal Annealing)工序。由于通常电流阻挡层布置于透明电极下部，因此电流阻挡层在透明电极的热处理工序中暴露于高温。

在此，在电流阻挡层暴露于高温的情况下，可能在电流阻挡层诱发应力。尤其，在电流阻挡层包括如分布式布拉格反射器等的多个层的情况下，由于快速热处理在电流阻挡层诱发应力，从而可能剥离电流阻挡层。

发明内容

本发明所要解决的课题是提供一种能够防止电流阻挡层的剥离的发光元件。

本发明所要解决的另一课题是提供一种能够完善电流阻挡层的反射性能的发光元件。

本发明所要解决的又一课题是提供一种减少电极造成的光吸收，从而改善光提取效率的发光元件。

本发明所要解决的又一课题是提供一种包括结构改善的分布式布拉格反射器的发光元件。

根据本发明的一实施例，提供一种发光元件，包括：第一导电型半导体层；第二导电型半导体层；活性层，布置于所述第一导电型半导体层与所述第二导电型半导体层之间；电流阻挡层，布置于所述第二导电型半导体层上；透明电极层，覆盖所述电流阻挡层；第一电极，电连接于所述第一导电型半导体层；第二电极，位于所述透明电极层上，并电连接于所述透明电极层，且包括第二电极焊盘以及从所述第二电极焊盘延伸的第二电极延伸部；以及第二反射层，布置于所述第二电极与所述透明电极层之间，其中，所述第二电极焊盘及第二电极延伸部分别覆盖所述电流阻挡层的至少一部分。

本发明提供一种发光元件，所述发光元件防止电流阻挡层的剥离，从而提高可靠性，并且还包括用于减少电极造成的光吸收的反射层，从改善光提取效率。

附图说明

图1是用于说明根据本发明的一实施例的发光元件的平面图。

图2至图6分别是沿图1的截取线A-A'线、B-B'线、C-C'线、D-D'线及 E-E'线截取的剖面图。

图7a是图1的区域α的放大平面图，图7b及图7c分别是沿图1的截取线F-F'及G-G'截取的剖面图。

图8a至8c图示应用根据本发明的一实施例的发光元件的封装件。

图9是用于说明根据本发明的另一实施例的发光元件的平面图。