[发明专利]一种半导体晶圆的处理方法

权利要求书

1.一种半导体晶圆的处理方法，包括步骤：

S101.在半导体晶圆的正面贴附UV膜；

S102.对S101处理后的半导体晶圆的边缘进行修膜检验；

S103.对S102处理后的半导体晶圆进行背面减薄；

S104.对背面减薄后的半导体晶圆采用腐蚀液进行背面腐蚀，腐蚀时间为15～20min，腐蚀温度为21～23℃，半导体晶圆的背面腐蚀量为5～8um；

S105.用UV灯照射S104处理后的半导体晶圆，除去半导体晶圆正面贴附的UV膜；

S106.对S105处理后的半导体晶圆背面蒸发金属化后检验。

2.如权利要求1所述的半导体晶圆的处理方法，其特征在于，所述步骤S101中，所采用的UV膜为耐酸、耐高温的UV膜。

3.如权利要求1所述的半导体晶圆的处理方法，其特征在于，所述步骤S102具体为：对S101处理后的半导体晶圆的边缘进行检查，确保半导体晶圆的正面全部被UV膜覆盖，并确保半导体晶圆的边缘与UV膜紧密贴合。

4.如权利要求1所述的半导体晶圆的处理方法，其特征在于，所述步骤S103中具体为：S102处理后的半导体晶圆在减薄砂轮作用下进行背面减薄。

5.如权利要求1所述的半导体晶圆的处理方法，其特征在于，所述步骤S104中，所述腐蚀液由体积百分比为80％～90％硫酸、5％～15％硝酸和1.5％～5％氢氟酸配制而成，其中，所述硫酸的浓度为95％～98％，所述硝酸的浓度为65％～68％，所述氢氟酸的浓度为46％～52％。

6.如权利要求5所述的半导体晶圆的处理方法，其特征在于，所述腐蚀液配制完成后，需循环冷却1.5～2.5h，温度控制在21～23℃使用。

7.如权利要求5所述的半导体晶圆的处理方法，其特征在于，所述步骤S104具体为：将背面减薄后的半导体晶圆放入腐蚀设备内，浸入腐蚀液中进行循环腐蚀，腐蚀时间为15～20min，腐蚀温度为21～23℃，半导体晶圆的背面腐蚀量为5～8um。

8.如权利要求1-7任一项所述的半导体晶圆的处理方法，其特征在于，所述步骤S104和S105之间还包括：将背面腐蚀后的半导体晶圆快速转移至半导体用快排清洗槽内，用40～60℃的纯水进行快速冲水处理，快速冲水6～10次后转移至另一半导体用快排清洗槽内，用常温纯水自动计时冲水15～30min，冲水结束后进行甩干。

9.如权利要求8所述的半导体晶圆的处理方法，其特征在于，所述步骤S105具体为：用UV灯照射半导体晶圆正面的UV膜，除去UV膜后，将半导体晶圆放入氮气柜中。

10.如权利要求9所述的半导体晶圆的处理方法，其特征在于，所述步骤S106中，对半导体晶圆背面蒸发金属化之前，用浓度为1％～5％的氢氟酸对半导体晶圆的背面进行处理，将处理后的半导体晶圆冲水、甩干。