[发明专利]一种半导体晶圆的处理方法

说明书

本发明公开了一种半导体晶圆的处理方法，包括步骤：S101.在半导体晶圆的正面贴附UV膜；S102.对S101处理后的半导体晶圆的边缘进行修膜检验；S103.对S102处理后的半导体晶圆进行背面减薄；S104.对背面减薄后的半导体晶圆采用腐蚀液进行背面腐蚀；S105.用UV灯照射S104处理后的半导体晶圆，除去半导体晶圆正面贴附的UV膜；S106.对S105处理后的半导体晶圆背面蒸发金属化后检验。其有效克服了减薄后应力及损伤层的修复去除甚微或不彻底的问题，保证背面金属层与半导体晶圆之间的结合力，杜绝金属层掉落、翘曲现象的发生，保证产品的质量。

技术领域

本发明涉及半导体领域，特别是，涉及一种半导体晶圆的处理方法。

背景技术

现有技术中，半导体晶圆减薄后的腐蚀时间一般在1分钟左右，减薄后的应力及损伤层的修复去除甚微或不彻底，影响后期背面金属的粘附性，容易出现金属掉落、翘曲等现象，影响产品的质量。

发明内容

为了克服现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种半导体晶圆的处理方法，其有效克服了减薄后应力及损伤层的修复去除甚微或不彻底的问题，保证背面金属层与半导体晶圆之间的结合力，杜绝金属层掉落、翘曲现象的发生，保证产品的质量。

为解决上述问题，本发明所采用的技术方案如下：

一种半导体晶圆的处理方法，包括步骤：

S101.在半导体晶圆的正面贴附UV膜；

S102.对S101处理后的半导体晶圆的边缘进行修膜检验；

S103.对S102处理后的半导体晶圆进行背面减薄；

S104.对背面减薄后的半导体晶圆采用腐蚀液进行背面腐蚀，腐蚀时间为15～20min，腐蚀温度为21～23℃，半导体晶圆的背面腐蚀量为5～8um；

S105.用UV灯照射S104处理后的半导体晶圆，除去半导体晶圆正面贴附的UV膜；

S106.对S105处理后的半导体晶圆背面蒸发金属化后检验。

进一步的，所述步骤S101中，所采用的UV膜为耐酸、耐高温的UV膜。

进一步的，所述步骤S102具体为：对S101处理后的半导体晶圆的边缘进行检查，确保半导体晶圆的正面全部被UV膜覆盖，并确保半导体晶圆的边缘与UV膜紧密贴合。

进一步的，所述步骤S103中具体为：S102处理后的半导体晶圆在减薄砂轮作用下进行背面减薄。

进一步的，所述步骤S104中，所述腐蚀液由体积百分比为80％～90％硫酸、5％～15％硝酸和1.5％～5％氢氟酸配制而成，其中，所述硫酸的浓度为95％～98％，所述硝酸的浓度为65％～68％，所述氢氟酸的浓度为46％～52％。

进一步的，所述腐蚀液配制完成后，需循环冷却1.5～2.5h，温度控制在21～23℃使用。

进一步的，所述步骤S104具体为：将背面减薄后的半导体晶圆放入腐蚀设备内，浸入腐蚀液中进行循环腐蚀，腐蚀时间为15～20min，腐蚀温度为21～23℃，半导体晶圆的背面腐蚀量为5～8um。

进一步的，所述步骤S104和S105之间还包括：将背面腐蚀后的半导体晶圆快速转移至半导体用快排清洗槽内，用40～60℃的纯水进行快速冲水处理，快速冲水6～10次后转移至另一半导体用快排清洗槽内，用常温纯水自动计时冲水15～30min，冲水结束后进行甩干。

进一步的，所述步骤S105具体为：用UV灯照射半导体晶圆正面的UV膜，除去UV膜后，将半导体晶圆放入氮气柜中。