[发明专利]超声传感器及其制作方法、显示基板及其制作方法

说明书

本发明提供一种超声传感器及其制作方法、显示基板及其制作方法，该超声传感器的制作方法包括：提供一基板；在基板中形成通孔；在基板上形成整层结构层；自基板背离结构层的一侧，以形成有通孔的基板作为阻挡层对结构层进行刻蚀，以在结构层上且与通孔对应的位置处形成空腔。本发明提供的超声传感器及其制作方法的技术方案，可以增大产品尺寸。

技术领域

本发明涉及超声传感器技术领域，具体地，涉及一种超声传感器及其制作方法、显示基板及其制作方法。

背景技术

MEMS超声传感器(Micro-electromechanical Systems Ultrasonic Transducer，简称MUT)是采用微电子和微机械加工技术制作的新型超声传感器。与传统的散装超声传感器相比，MUT具有体积小、重量轻、成本低、功耗低、可靠性高、频率控制灵活、频带宽、灵敏度高以及易于与电路集成和实现智能化等特点。近年来，MUT已从原型样品的研究，逐步进入到应用领域。

MUT的研究主要包括压电MUT(称为PMUT)和电容MUT(称为CMUT)两个方面。相比于传统的超声换能器，PMUT具有易阵列化，集成度高，抗干扰能力强等的优点，并且在实现高精度以及与IC工艺集成上有明显的优势。

现有的PMUT一般以硅片(Si-Wafer)作为基底，并通过对硅片的背面进行刻蚀，来实现PMUT的空腔制备。但是，这种制作方法使得产品尺寸受制于硅片尺寸，由于硅片的直径通常为300mm，导致PMUT的尺寸最大为300mm。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种超声传感器及其制作方法、显示基板及其制作方法，其可以增大产品尺寸。

为实现本发明的目的而提供一种超声传感器的制作方法，包括：提供一基板；

在所述基板中形成通孔；

在所述基板上形成整层结构层；

自所述基板背离所述结构层的一侧，以形成有所述通孔的基板作为阻挡层对所述结构层进行刻蚀，以在所述结构层上且与所述通孔对应的位置处形成空腔。

优选的，使用激光束照射所述基板，以在所述基板中形成所述通孔。

优选的，所述结构层采用有机材料或者无机绝缘材料制作。

优选的，采用干法刻蚀工艺自所述基板背离所述结构层的一侧，以形成有所述通孔的基板作为阻挡层对所述结构层进行刻蚀。

优选的，所述干法刻蚀工艺采用由氧气形成的等离子体进行刻蚀。

优选的，所述结构层采用无机绝缘材料制作；采用湿法刻蚀工艺自所述基板背离所述结构层的一侧，以形成有所述通孔的基板作为阻挡层对所述结构层进行刻蚀。

优选的，在完成所述在所述基板中形成通孔之后，在进行所述在所述基板上形成整层结构层之前，还包括：

对所述基板进行双面抛光和/或研磨，以使所述基板的待形成所述结构层的第一表面，及背离所述第一表面的第二表面平整。

优选的，在所述基板上形成整层结构层之后，还包括：

在形成有所述结构层的基板上形成第一电极；

在形成有所述第一电极的基板上形成压电材料层；

在形成有所述压电材料层的基板上第二电极。

优选的，在所述在形成有所述结构层的基板上形成第一电极之前，还包括：

在形成有所述结构层的基板上形成介质层。

优选的，在所述在形成有所述压电材料层的基板上形成第二电极之前，还包括：