[发明专利]射频电源冷却装置和方法、半导体加工设备在审
申请号: | 201810011122.9 | 申请日: | 2018-01-05 |
公开(公告)号: | CN110010515A | 公开(公告)日: | 2019-07-12 |
发明(设计)人: | 李华 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01J37/32 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;张天舒 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 射频电源 冷却装置 进水阀 半导体加工设备 出水管路 吹扫装置 冷却水路 出水阀 接通 水蒸气凝结 机台成本 进水管路 出水管 进水管 水管路 吹扫 断开 | ||
1.一种射频电源冷却装置,包括冷却水路、进水管路和出水管路,其特征在于,还包括进水阀、出水阀和吹扫装置,其中,
所述进水阀设置在所述进水管路上,用于接通或断开所述进水管路;
所述出水阀设置在所述出水管路上,用于接通或断开所述出水管路;
所述吹扫装置用于在所述进水阀关闭后,对所述冷却水路进行吹扫。
2.根据权利要求1所述的射频电源冷却装置,其特征在于,所述吹扫装置包括吹扫气路和通断阀,其中,
所述吹扫气路的出口端与所述进水管路连接,用于通过所述进水管路向所述冷却水路中输送吹扫气体;
所述通断阀设置在所述吹扫气路上,用于接通或断开所述吹扫气路。
3.根据权利要求2所述的射频电源冷却装置,其特征在于,所述冷却水路包括第一冷却水路和第二冷却水路,二者分别用于设置在第一射频电源和第二射频电源中以分别对所述第一射频电源和所述第二射频电源冷却;
所述进水管路包括并联设置的第一进水管路和第二进水管路,分别用于向所述第一冷却水路和所述第二冷却水路中输入冷却水;
所述出水管路包括并联设置的第一出水管路和第二出水管路,分别用于排出所述第一冷却水路和所述第二冷却水路中的冷却水;
所述进水阀包括第一进水阀和第二进水阀,二者分别设置在所述第一进水管路和所述第二进水管路上;
所述出水阀包括第一出水阀和第二出水阀,二者分别设置在所述第一出水管路和所述第二出水管路上;
所述吹扫气路包括总气路和两个支路,其中,所述总气路的出口端分别与两个所述支路的入口端连接,两个所述支路的出口端分别与所述第一进水管路和所述第二进水管路连接;
所述通断阀包括第一通断阀和第二通断阀,二者分别设置在两个所述支路上。
4.根据权利要求2或3所述的射频电源冷却装置,其特征在于,所述通断阀为气动阀。
5.根据权利要求1所述的射频电源冷却装置,其特征在于,所述进水阀和所述出水阀均为电磁阀。
6.一种射频电源冷却方法,其特征在于,采用权利要求1-5任意一项所述的射频电源冷却装置对射频电源进行冷却,包括以下步骤:
S1,打开所述出水阀;
S2,打开所述进水阀;
S3,向进水管路中通入冷却水第一预设时间,关闭所述进水阀;
S4,利用所述吹扫装置对所述冷却水路吹扫第二预设时间;
S5,关闭所述出水阀和所述吹扫装置。
7.根据权利要求6所述的射频电源冷却方法,其特征在于,在所述步骤S1之前,还包括:
检测所述进水阀、所述出水阀和所述吹扫装置是否均处于关闭状态;
若是,则进行所述步骤S1;若否,则关闭未关闭的所述进水阀、所述出水阀和/或所述吹扫装置。
8.根据权利要求6所述的射频电源冷却方法,其特征在于,所述步骤S4具体包括:
S41,利用所述吹扫装置对所述冷却水路进行吹扫;
S42,判断吹扫是否达到第二预设时间,若是,则进行所述步骤S5;若否,则继续所述步骤S41。
9.根据权利要求6所述的射频电源冷却方法,其特征在于,在所述步骤S5中,先关闭所述出水阀,后关闭所述吹扫装置。
10.一种半导体加工设备,包括射频电源,其特征在于,还包括权利要求1-5任意一项所述的射频电源冷却装置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造