[发明专利]射频电源冷却装置和方法、半导体加工设备在审
申请号: | 201810011122.9 | 申请日: | 2018-01-05 |
公开(公告)号: | CN110010515A | 公开(公告)日: | 2019-07-12 |
发明(设计)人: | 李华 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01J37/32 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;张天舒 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 射频电源 冷却装置 进水阀 半导体加工设备 出水管路 吹扫装置 冷却水路 出水阀 接通 水蒸气凝结 机台成本 进水管路 出水管 进水管 水管路 吹扫 断开 | ||
本发明提供一种射频电源冷却装置及方法、半导体加工设备,该装置包括冷却水路、进水管路和出水管路,以及进水阀、出水阀和吹扫装置,其中,进水阀设置在进水管路上,用于接通或断开进水管路;出水阀设置在出水管路上,用于接通或断开出水管路;吹扫装置用于在进水阀关闭后,对冷却水路进行吹扫。本发明提供的射频电源冷却装置,其可以避免射频电源内部的水蒸气凝结,从而可以提高射频电源的寿命,减少机台成本。
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域,具体地,涉及一种射频电源冷却装置和方法、半导体加工设备。
背景技术
刻蚀机是集成电路制造工艺中必不可少的设备,刻蚀机的原理为:工艺气体在上射频系统的作用下电离,产生活跃的等离子体和自由基,等离子体和自由基在下射频系统的作用下到达晶圆(wafer)表面,并与晶圆发生一系列物理、化学反应,从而完成对晶圆的加工。
在刻蚀机工作时,一般主要采用上、下射频系统,上射频系统用于产生等离子体,下射频系统用于产生能够吸引等离子体朝向晶圆运动的偏压。在射频系统中,射频电源作为射频能量的供应端,其工作时会产生大量的热,因此需要在进行工艺时对射频电源进行冷却。
但是,在现有技术中,在进行工艺的过程中,用于对射频电源进行冷却的冷却装置保持常开的状态,这会导致射频电源内部的水蒸气凝结,长时间使用时会导致射频电源损坏,特别是对于先进制程的脉冲电源,该现象更为明显,严重时会影响机台的正常运行,增加了机台成本。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提出了一种射频电源冷却装置和方法、半导体加工设备,其可以避免射频电源内部的水蒸气凝结,从而可以提高射频电源的寿命,减少机台成本。
为实现本发明的目的而提供一种射频电源冷却装置,包括冷却水路、进水管路和出水管路,还包括进水阀、出水阀和吹扫装置,其中,
所述进水阀设置在所述进水管路上,用于接通或断开所述进水管路;
所述出水阀设置在所述出水管路上,用于接通或断开所述出水管路;
所述吹扫装置用于在所述进水阀关闭后,对所述冷却水路进行吹扫。
优选的,所述吹扫装置包括吹扫气路和通断阀,其中,
所述吹扫气路的出口端与所述进水管路连接,用于通过所述进水管路向所述冷却水路中输送吹扫气体;
所述通断阀设置在所述吹扫气路上,用于接通或断开所述吹扫气路。
优选的,所述冷却水路包括第一冷却水路和第二冷却水路,二者分别用于设置在第一射频电源和第二射频电源中以分别对所述第一射频电源和所述第二射频电源冷却;
所述进水管路包括并联设置的第一进水管路和第二进水管路,分别用于向所述第一冷却水路和所述第二冷却水路中输入冷却水;
所述出水管路包括并联设置的第一出水管路和第二出水管路,分别用于排出所述第一冷却水路和所述第二冷却水路中的冷却水;
所述进水阀包括第一进水阀和第二进水阀,二者分别设置在所述第一进水管路和所述第二进水管路上;
所述出水阀包括第一出水阀和第二出水阀,二者分别设置在所述第一出水管路和所述第二出水管路上;
所述吹扫气路包括总气路和两个支路,其中,所述总气路的出口端分别与两个所述支路的入口端连接,两个所述支路的出口端分别与所述第一进水管路和所述第二进水管路连接;
所述通断阀包括第一通断阀和第二通断阀,二者分别设置在两个所述支路上。
优选的,所述通断阀为气动阀。
优选的,所述进水阀和所述出水阀均为电磁阀。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造