[发明专利]一种靶材组件、溅射系统及靶材层消耗状况的监控方法

说明书

本发明提供一种靶材组件、溅射系统及靶材层消耗状况的监控方法，涉及显示技术领域，可及时掌握靶材层的消耗程度，防止出现靶材层使用过量或使用不够充分的情况。该靶材组件包括：基板、设置在所述基板表面的靶材层；所述靶材组件还包括：内嵌在所述靶材层中或者设置在所述基板与所述靶材层之间的吸附层，所述吸附层配置为吸附预设气体。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种靶材组件、溅射系统及靶材层消耗状况的监控方法。

背景技术

溅射(Sputter)工艺是利用高能离子束将靶材原子轰击出来，并沉积在基板上的成膜过程。随着靶材使用量的增加，靶材会逐渐地被损耗掉。若消耗掉的靶材将下方固定靶材的背板露出后，会导致背板上的原子被溅射出来、进而沉积在待成膜的基板上，对基板上沉积的膜层造成影响。更甚者，若背板也被溅射穿透后，由于溅射腔室内仍然在进行放电溅射，会导致设备被高能离子束击穿，对设备造成严重影响。

因此，靶材的使用寿命对设备预防维护(Preventive Maintenance，即PM)计划至关重要，需要及时地更换靶材。

然而，现有生产过程中所设定的靶材寿命仅是通过生产经验获得的，并且由于不同设备之间的差异性，导致所设定的靶材需要更换的使用时间仅能作为参考，存在较大误差，在实际生产过程中往往会出现靶材使用过量或使用不够充分的情况。

发明内容

鉴于此，为解决现有技术的问题，本发明的实施例提供一种靶材组件、溅射系统及靶材层消耗状况的监控方法，可及时掌握靶材层的消耗程度，防止出现靶材层使用过量或使用不够充分的情况。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

第一方面、本发明实施例提供了一种靶材组件，包括：基板、设置在所述基板表面的靶材层；所述靶材组件还包括：内嵌在所述靶材层中或者设置在所述基板与所述靶材层之间的吸附层，所述吸附层配置为吸附预设气体。

可选的，所述靶材层包括远离所述基板的第一表面；所述第一表面划分有预设区域，所述靶材层对应于所述预设区域的部分为易于被溅射穿的部分；所述预设区域在所述基板上的正投影与所述吸附层在所述基板上的正投影完全重叠。

可选的，所述吸附层由吸附介质构成，所述吸附介质的粒径小于3nm。

可选的，所述吸附层由吸附介质构成，所述吸附介质包括多孔配位聚合物、碳纳米管、沸石分子筛中的至少一种。

可选的，所述预设气体为氢气。

可选的，所述基板包括：背板和绑定层；所述绑定层位于所述背板与所述靶材层之间。

第二方面、本发明实施例提供了一种溅射系统，所述溅射系统包括溅射装置；所述溅射装置包括：腔室；设置在所述腔室内上述任一项所述的靶材组件；气体流量监测单元，所述气体流量监测单元配置为监测通入到所述腔室内的所述预设气体的流量变化。

作为一种可选的方式，所述溅射系统还包括：报警单元，所述报警单元配置为在所述气体流量监测单元监测到的所述预设气体的流量变化超过参考值时发出报警。

作为另一种可选的方式，所述溅射系统还包括：控制单元，所述控制单元配置为在所述气体流量监测单元监测到的所述预设气体的流量变化超过参考值时控制所述溅射装置终止溅射。

第三方面、本发明实施例提供了一种溅射系统中靶材层消耗状况的监控方法，所述溅射系统上述任一项所述的溅射系统，所述监控方法包括：接通电源，并向所述腔室内通入所述预设气体，使所述溅射装置开始溅射；开启所述气体流量监测单元，以监测通入到所述腔室内的所述预设气体的流量变化；当所述流量变化超过参考值时，使所述溅射装置终止溅射。