[发明专利]薄膜晶体管、阵列基板及其制造方法、显示面板

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括半导体层、源极和漏极，所述半导体层包括有源层和超疏水层，所述有源层包括源极接触部、漏极接触部和沟道部，所述源极与所述源极接触部相对应，所述漏极与所述漏极接触部相对应，所述超疏水层设置在所述有源层朝向所述源极和漏极的表面上，所述超疏水层包括多个从所述有源层表面凸出的多级微纳结构，所述多级微纳结构包括主凸起以及形成在该主凸起上的至少一个尺寸在纳米量级的次凸起，其中，所述主凸起的尺寸大于所述次凸起的尺寸；所述超疏水层至少覆盖所述有源层的沟道部；

所述超疏水层的材料与所述有源层的材料相同，所述超疏水层覆盖所述有源层，且所述超疏水层的边缘与所述有源层的边缘对齐。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层的材料包括金属氧化物。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层的材料包括铟镓锌氧化物。

4.一种阵列基板，所述阵列基板包括多个薄膜晶体管，其特征在于，至少一个所述薄膜晶体管为权利要求1至3中任意一项所述的薄膜晶体管。

5.一种显示面板，所述显示面板包括阵列基板，其特征在于，所述阵列基板为权利要求4所述的阵列基板。

6.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

形成包括半导体层的图形，所述形成包括半导体层的图形的步骤包括：形成半导体材料层；

对所述半导体材料层进行表面处理，以获得超疏水结构层；

对形成有所述超疏水结构层的半导体材料层进行构图，以获得包括所述半导体层的图形；其中，所述半导体层包括有源层和超疏水层，有源层包括源极接触部、漏极接触部和沟道部，所述超疏水层设置在所述有源层朝向源极和漏极的表面上，所述超疏水层包括多个从所述有源层表面凸出的多级微纳结构，且所述超疏水层覆盖所述有源层的沟道部；

形成导电材料层，所述导电材料层覆盖包括半导体层的图形，且所述导电材料层与所述超疏水层贴合；

在所述导电材料层上形成掩膜图形；

湿法刻蚀以获得包括源极和漏极的图形，在同一个薄膜晶体管中，所述源极的至少一部分与所述源极接触部对应，所述漏极的至少一部分与所述漏极接触部对应。

7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，对所述半导体材料层进行表面处理的步骤包括：

向沉积形成所述半导体材料层的工艺腔室中通入工艺气体，并利用所述工艺腔室对所述工艺气体进行等离子化，所述工艺气体包括氧气和/或氟化碳，工艺腔室的设备功率为2500W至3500W，持续时间为180s至300s。

8.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，对所述半导体材料层进行表面处理的步骤包括：

利用脉冲激光对所述半导体材料层进行表面处理，持续时间为180s至300s。