[发明专利]薄膜晶体管、阵列基板及其制造方法、显示面板

说明书

本发明提供一种薄膜晶体管，其中，所述薄膜晶体管包括半导体层、源极和漏极，所述半导体层包括有源层和超疏水层，所述有源层包括源极接触部、漏极接触部和沟道部，所述源极与所述源极接触部相对应，所述漏极与所述漏极接触部相对应，所述超疏水层设置在所述有源层朝向所述源极和漏极的表面上，所述超疏水层包括多个从所述有源层表面凸出的多级微纳结构，所述超疏水层至少覆盖所述有源层的沟道部。本发明还提供一种阵列基板、该阵列基板的制造方法和显示面板。所述薄膜晶体管利用超疏水层作为刻蚀阻挡层，可以避免湿刻时对有源层造成损坏。

技术领域

本发明涉及显示装置领域，具体地，涉及一种薄膜晶体管、一种包括该薄膜晶体管的阵列基板、该阵列基板的制造方法和包括所述阵列基板的显示面板。

背景技术

显示面板的像素电路以及驱动电路中均会用到薄膜晶体管。根据薄膜晶体管的主体层的材料的不同，薄膜晶体管包括多晶硅薄膜晶体管和氧化物薄膜晶体管两种。

通常可以通过湿刻的方式形成位于主体层上方的源极和漏极。对于氧化物薄膜晶体管而言，为了防止刻蚀液腐蚀主体层中的沟道，需要在沟道上方形成刻蚀阻挡层。

目前的氧化物薄膜晶体管结构单一，无法满足市场需求。

发明内容

本发明的目的在于提供一种薄膜晶体管、一种包括该薄膜晶体管的阵列基板、该阵列基板的制造方法和包括所述阵列基板的显示面板。所述薄膜晶体管的类型不同于现有的需要形成刻蚀阻挡层的薄膜晶体管，可以为用户提供一种新的可选方案。

为了实现上述目的，作为本发明的一个方面，提供一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括半导体层、源极和漏极，所述半导体层包括有源层和超疏水层，所述有源层包括源极接触部、漏极接触部和沟道部，所述源极与所述源极接触部相对应，所述漏极与所述漏极接触部相对应，所述超疏水层设置在所述有源层朝向所述源极和漏极的表面上，所述超疏水层包括多个从所述有源层表面凸出的多级微纳结构，所述超疏水层至少覆盖所述有源层的沟道部。

优选地，所述有源层的材料包括金属氧化物。

优选地，所述有源层的材料包括铟镓锌氧化物。

优选地，所述超疏水层的材料与所述有源层的材料相同，所述超疏水层覆盖所述有源层，且所述超疏水层的边缘与所述有源层的边缘对齐。

作为本发明的第二个方面，提供一种阵列基板，所述阵列基板包括多个薄膜晶体管，其中，至少一个所述薄膜晶体管为本发明所提供的上述薄膜晶体管。

作为本发明的第三个方面，提供一种显示面板，所述显示面板包括阵列基板，其中，所述阵列基板为本发明所提供的上述阵列基板。

作为本发明的第四个方面，提供一种阵列基板的制造方法，其中，所述制造方法包括：

形成包括半导体层的图形，所述半导体层包括有源层和超疏水层，有源层包括源极接触部、漏极接触部和沟道部，所述超疏水层设置在所述有源层朝向所述源极和漏极的表面上，所述超疏水层包括多个从所述有源层表面凸出的多级微纳结构，且所述超疏水层覆盖所述有源层的沟道部；

形成导电材料层，所述导电材料层覆盖包括半导体层的图形，且所述导电材料层与所述超疏水层贴合；

在所述导电材料层上形成掩膜图形；

湿法刻蚀以获得包括源极和漏极的图形，在同一个所述薄膜晶体管中，所述源极的至少一部分与所述源极接触部对应，所述漏极的至少一部分与所述漏极接触部对应。

优选地，形成包括有源层的图形的步骤包括：

形成半导体材料层；

对所述半导体材料层进行表面处理，以获得超疏水结构层；