[发明专利]一种背接触晶体硅异质结太阳能电池及制备方法

权利要求书

1.一种背接触晶体硅异质结太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池包括：硅基体、第一钝化层、第二钝化层、减反射薄膜、金属氧化物反射极、金属电极、LiF_x薄膜；

所述第一钝化层沉积在所述硅基体上表面；

所述减反射薄膜沉积在所述第一钝化层的上表面；

所述第二钝化层沉积在所述硅基体下表面；

所述金属氧化物反射极沉积在所述第二钝化层的下表面的一端，所述LiF_x薄膜沉积在所述第二钝化层的下表面的另一端；

所述金属电极蒸镀在所述金属氧化物反射极和所述LiF_x薄膜的下表面；

所述金属氧化物反射极和所述LiF_x薄膜之间设置有空隙；

所述金属氧化物反射极为所述太阳能电池的正极，所述金属电极为所述太阳能电池的负极。

2.根据权利要求1所述的一种背接触晶体硅异质结太阳能电池，其特征在于，所述金属氧化物反射极为NiO、Ag₂O、SnO₂、Co₃O₄中的任意一者。

3.根据权利要求1所述的一种背接触晶体硅异质结太阳能电池，其特征在于，所述硅基体为单晶硅片。

4.一种背接触晶体硅异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

在硅基体的上表面沉积第一钝化层，下表面沉积第二钝化层；

在所述第一钝化层的上表面沉积减反射薄膜；

采用掩膜版遮挡所述第二钝化层的部分下表面，将无遮挡部分的所述第二钝化层的下表面沉积金属氧化物，在所述金属氧化物的下表面蒸镀一层金属电极；

更换掩膜版，遮挡所述金属氧化物部分，将无遮挡部分的所述第二钝化层的下表面沉积LiF_x薄膜，在所述LiF_x薄膜蒸镀一层所述金属电极。

5.根据权利要求4中的一种背接触晶体硅异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：

所述硅基体采用湿式化学清洗工艺清洗。

6.根据权利要求4中的一种背接触晶体硅异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述钝化层的制备方法包括热氧化、等离子体热化学的气相沉积方法、原子层沉积和磁控溅射法中的任意一者。

7.根据权利要求4中的一种背接触晶体硅异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述LiF_x薄膜的制备方法包括电阻式热蒸发、电子束蒸发和磁控溅射法中的任意一者。