[发明专利]一种背接触晶体硅异质结太阳能电池及制备方法

说明书

本发明公开了一种背接触晶体硅异质结太阳能电池，所述太阳能电池包括：硅基体、第一钝化层、第二钝化层、减反射薄膜、金属氧化物反射极、金属电极、LiF_x薄膜；第一钝化层沉积在所述硅基体上表面；减反射薄膜沉积在第一钝化层的上表面；第二钝化层沉积在所述硅基体下表面；金属氧化物反射极沉积在第二钝化层的下表面的一端，LiF_x薄膜沉积在第二钝化层的下表面的另一端；金属电极蒸镀在所述金属氧化物反射极和LiF_x薄膜的下表面；金属氧化物反射极和LiF_x薄膜之间设置有空隙；金属氧化物反射极为太阳能电池的正极，金属电极为所述太阳能电池的负极。本发明通过设置金属氧化物反射极，避免了由发射极引起的寄生性吸收、俄歇复合和“死层”问题。

技术领域

本发明涉及太阳能电池领域，特别是涉及一种背接触晶体硅异质结太阳能电池及制备方法。

背景技术

背接触异质结晶体太阳能电池更加接近硅基电池的理论极限转化效率。为了提高背接触异质结晶体太阳能电池的转化效率，本领域通常采用掺杂本征非晶硅的技术手段，然而掺杂非晶硅存在寄生吸收的现象，并且制备过程中使用易燃易爆性气体，随着掺杂浓度的增加，硅与非晶硅接触界面的缺陷态密度增加，降低了开路电压。

目前，过渡金属氧化物作为空穴选择性材料、电子选择性材料和钝化层材料，被大量地与晶体硅结合，制备成过渡金属氧化物晶体硅太阳能电池。但是MoO₃和V₂O₅等过渡金属氧化物的稳定性差，Mo和V且属于金属稀有元素。

发明内容

本发明的目的是提供一种能够避免由发射极引起的寄生性吸收、俄歇复合和“死层”问题的背接触晶体硅异质结太阳能电池及制备方法。

为实现上述目的，本发明提供了如下方案：

一种背接触晶体硅异质结太阳能电池，所述太阳能电池包括：硅基体、第一钝化层、第二钝化层、减反射薄膜、金属氧化物反射极、金属电极、LiF_x薄膜；

所述第一钝化层沉积在所述硅基体上表面；

所述减反射薄膜沉积在所述第一钝化层的上表面；

所述第二钝化层沉积在所述硅基体下表面；

所述金属氧化物反射极沉积在所述第二钝化层的下表面的一端，所述LiF_x薄膜沉积在所述第二钝化层的下表面的另一端；

所述金属电极蒸镀在所述金属氧化物反射极和所述LiF_x薄膜的下表面；

所述金属氧化物反射极和所述LiF_x薄膜之间设置有空隙；

所述金属氧化物反射极为所述太阳能电池的正极，所述金属电极为所述太阳能电池的负极。

可选的，所述金属氧化物反射极为NiO、Ag₂O、SnO₂、Co₃O₄中的任意一者。

可选的，所述硅基体为单晶硅片。

为了实现上述目的，本发明还提供了如下方案：

一种背接触晶体硅异质结太阳能电池的制备方法，所述制备方法包括：

在硅基体的上表面沉积第一钝化层，下表面沉积第二钝化层；

在所述第一钝化层的上表面沉积减反射薄膜；

采用掩膜版遮挡所述第二钝化层的部分下表面，将无遮挡部分的所述第二钝化层的下表面沉积金属氧化物，在所述金属氧化物的下表面蒸镀一层金属电极；