[发明专利]一种存储映射控制装置及控制方法有效
申请号: | 201810014096.5 | 申请日: | 2018-01-08 |
公开(公告)号: | CN108121668B | 公开(公告)日: | 2020-10-02 |
发明(设计)人: | 王雪春;尤伟其;倪永良 | 申请(专利权)人: | 华大半导体有限公司 |
主分类号: | G06F12/02 | 分类号: | G06F12/02 |
代理公司: | 上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31313 | 代理人: | 张东梅;李镝的 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 存储 映射 控制 装置 方法 | ||
1.一种存储映射控制装置,包括:
擦除控制ERC模块,所述擦除控制ERC模块接收对非易失性存储器的操作指令,所述操作指令包含ROM地址;
初始化加载ILD模块,所述初始化加载ILD模块与所述擦除控制ERC模块通信,在芯片复位解除初始化加载时,所述初始化加载ILD模块发出对保存擦除信息的存储器物理地址的读操作,并保存ROM地址与存储器物理地址的映射关系;以及
总线选择BSL模块,所述总线选择BSL模块与所述擦除控制ERC模块和所述初始化加载ILD模块通信,并且基于所进行的操作选择从所述擦除控制ERC模块或所述初始化加载ILD模块接收信息,并输出所接收的信息,
其中,在所述擦除控制ERC模块接收到擦除指令时,所述擦除控制ERC模块配制成:
基于所述擦除指令确定ROM地址;
从所述初始化加载ILD模块获取ROM地址与存储器物理地址的映射关系;以及
判断是否对所述非易失性存储器进行擦除,
在所述擦除控制ERC模块接收到读指令或编程指令时,所述擦除控制ERC模块配制成:根据接收的读指令或编程指令确定ROM地址,从所述初始化加载ILD模块获取ROM地址与存储器物理地址的映射关系,确定具体操作的存储器物理地址,并将所述存储器物理地址发送给总线选择BSL模块;
如果所述擦除控制ERC模块判断对所述非易失性存储器进行擦除,则所述擦除控制ERC模块将擦除指令发送给总线选择BSL模块,所述总线选择BSL模块将擦除指令发送给外部存储器控制器;
如果所述擦除控制ERC模块判断不对所述非易失性存储器进行擦除,则输出对擦除次数信息地址的编程指令以备芯片复位解除初始化加载时获取ROM地址与存储器物理地址的映射关系,并刷新初始化加载ILD模块存储的ROM地址与存储器物理地址的映射关系。
2.如权利要求1所述的存储映射控制装置,其特征在于,所述初始化加载ILD模块包括索引寄存器,所述索引寄存器存储ROM地址与存储器物理地址的映射关系;所述非易失性存储器为FLASH;非易失性存储器包括至少一个扇区,每个扇区包括多个子扇区,n个子扇区用于存储同一个ROM空间的数据,n≥2。
3.如权利要求1所述的存储映射控制装置,其特征在于,所述操作指令是读指令、编程指令或擦除指令;或,根据所述非易失性存储器对应的扇区是否均已存满数据,判断是否对所述非易失性存储器进行擦除。
4.一种非易失性存储器控制方法,包括:
接收对非易失性存储器的操作指令,所述操作指令包含ROM地址;
确定ROM地址与存储器物理地址的映射关系;
在接收到擦除指令时,判断是否对所述非易失性存储器进行擦除,其中,所述非易失性存储器为FLASH;非易失性存储器包括至少一个扇区,每个扇区包括多个子扇区,n个子扇区用于存储同一个ROM空间的数据,n≥2,其中,根据一个ROM空间对应的n个子扇区是否均已征用,判断是否对n个子扇区进行擦除;
如果不对所述非易失性存储器进行擦除,则输出对擦除次数信息地址的编程指令,并刷新ROM地址与存储器物理地址的映射关系。
5.如权利要求4所述的方法,其特征在于,还包括:
在芯片复位解除初始化加载时,发出对保存擦除信息的存储器物理地址的读操作,并保存ROM地址与存储器物理地址的映射关系;
如果对所述非易失性存储器进行擦除,则将所述擦除指令直接发送给存储器控制器;
在接收到读指令或编程指令时,确定具体操作的存储器物理地址,并将所述存储器物理地址发送给存储器控制器。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华大半导体有限公司,未经华大半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810014096.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:数据擦除方法、装置及计算机存储介质
- 下一篇:存储器系统及其操作方法