[发明专利]一种存储映射控制装置及控制方法

说明书

本发明涉及一种存储映射控制装置，包括：擦除控制ERC模块，所述擦除控制ERC模块接收对非易失性存储器的操作指令，所述操作指令包含ROM地址；初始化加载ILD模块，所述初始化加载ILD模块与所述擦除控制ERC模块通信，在芯片复位解除初始化加载时，所述初始化加载ILD模块发出对保存擦除信息的存储器物理地址的读操作，并保存ROM地址与存储器物理地址的映射关系；以及总线选择BSL模块，所述总线选择BSL模块与所述擦除控制ERC模块和所述初始化加载ILD模块通信，并且基于所进行的操作选择从所述擦除控制ERC模块或所述初始化加载ILD模块接收信息，并输出所接收的信息。

技术领域

本发明总体上涉及存储器技术领域，更具体而言涉及一种存储映射控制装置及控制方法。

背景技术

闪存(FLASH)是一种非易失性，在没有电流供应的条件下也能够长久地保持数据。FLASH的存储单元为三端器件，具有与场效应管相同的名称：源极、漏级和栅极。不同的是场效应管是单栅极结构，FLASH是双栅极结构，在栅极和衬底之间增加了浮置栅极。图1示出FLASH存储单元的结构示意图。

浮置栅极与硅衬底之间有二氧化硅绝缘层，用来保护浮置栅极中的电荷不会泄漏。因此，FLASH中的数据在断电后依旧保持。

1)对于闪存的编程，即控制栅极去充电，对栅极加压，使得浮置栅极存储的电荷增多，超过阈值，则表示为数据0。

2)对于闪存的擦除，通过对源级加压，实现浮置栅极进行放电，当电荷低于阈值，表示为数据1。

浮置栅极的充放电，实际是电子的迁移，由于二氧化硅绝缘层的厚度只有10纳米，每次电子迁移会给绝缘层带来磨损。当二氧化硅绝缘层破损后，电子可能会滞留在绝缘层，这就让这层的负电荷不断增加，影响FLASH存储数据的正确性，当擦除次数超过电路使用寿命后，FLASH存储功能丧失。在结构上FLASH的源级是共连的，所以FLASH擦除必须以块(在下文中称为扇区)为单位进行擦除。

嵌入式FLASH由于本身结构所限，擦除次数一般只能在10K～100K之间。因此，本领域需要一种对只读存储器的擦除进行控制的装置及控制方法，通过该装置或方法能够在现有存储器结构不变的情况下，实现擦除次数若干倍数的增长。

发明内容

本发明的任务是提供一种存储映射控制装置，包括：

擦除控制ERC模块，所述擦除控制ERC模块接收对非易失性存储器的操作指令，所述操作指令包含ROM地址；

初始化加载ILD模块，所述初始化加载ILD模块与所述擦除控制ERC模块通信，在芯片复位解除初始化加载时，所述初始化加载ILD模块发出对保存擦除信息的存储器物理地址的读操作，并保存ROM地址与存储器物理地址的映射关系；以及

总线选择BSL模块，所述总线选择BSL模块与所述擦除控制ERC模块和所述初始化加载ILD模块通信，并且基于所进行的操作选择从所述擦除控制ERC模块或所述初始化加载ILD模块接收信息，并输出所接收的信息，

其中，在所述擦除控制ERC模块接收到擦除指令时，所述擦除控制ERC模块配制成：

基于所述擦除指令确定ROM地址；

从所述初始化加载ILD模块获取ROM地址与存储器物理地址的映射关系；以及

判断是否对所述非易失性存储器进行擦除。

在本发明的一个实施例中，所述初始化加载ILD模块包括索引寄存器，所述索引寄存器存储ROM地址与存储器物理地址的映射关系。

在本发明的一个实施例中，所述操作指令是读指令、编程指令或擦除指令；或，根据所述非易失性存储器对应的扇区是否均已存满数据，判断是否对所述存储器进行擦除。