[发明专利]形成对准掩模或一组对准掩模的方法、半导体装置

权利要求书

1.一种形成对准掩模的方法，包括：

在基底上刻蚀参考标记，以区分刻蚀区的边界；

使用曝光设定值在所述基底上形成刻蚀掩模，所述刻蚀掩模具有边界；

测量所述参考标记与所述刻蚀掩模的所述边界之间的距离；

当所测量的所述距离超过目标距离的容限时，则自所述基底移除所述刻蚀掩模，改变所述曝光设定值，使用改变后的所述曝光设定值形成下一刻蚀掩模，并重复所述测量；以及

当所测量的所述距离处于所述容限内时，则在刻蚀制程中使用所述刻蚀掩模。

2.如权利要求1所述的形成对准掩模的方法，所述曝光设定值包括为形成所述刻蚀掩模而校准的曝光能量以及焦心点。

3.如权利要求1所述的形成对准掩模的方法，所述刻蚀制程包括：

使用所述刻蚀掩模在所述基底中刻蚀凹陷部，以将所述参考标记转移至所述凹陷部的底部，

并在所述凹陷部中形成存储器阵列。

4.一种半导体装置，包括：

基底，包括延伸至所述基底中的凹陷部；以及

延伸至所述凹陷部的参考标记，所述参考标记与所述凹陷部的一侧之间的距离处于介于参考标记与所述凹陷部的一侧之间的目标距离容限内，目标距离容限小于目标距离的10％内，且存储器阵列设置于所述凹陷部中。

5.如权利要求4所述的半导体装置，其中所述凹陷部在所述凹陷部的两个相对的边界之间的尺寸介于500微米与10，000微米之间，且所述目标距离介于10纳米与1,000纳米之间。

6.如权利要求4所述的半导体装置，所述参考标记平行于所述凹陷部的所述一侧设置，且填充着绝缘材料。

7.一种形成一组对准掩模的方法，包括：

在基底上的一组层阶中的顶部层阶上刻蚀一组参考标记，以区分各刻蚀区的边界；

执行刻蚀-修整制程，以在所述一组层阶中的各层阶处形成台阶，其中所述刻蚀-修整制程至少包括使用所述一组参考标记中的第一参考标记的第一刻蚀-修整循环及使用所述一组参考标记中的第二参考标记的第二刻蚀-修整循环；以及

所述第一刻蚀-修整循环包括：

使用第一曝光设定值在所述顶部层阶上形成第一刻蚀-修整掩模，所述第一刻蚀-修整掩模具有第一边界；

测量所述一组参考标记中的所述第一参考标记与所述第一刻蚀掩模的所述第一边界之间的第一距离；

当所测量的所述第一距离超过第一目标距离的容限时，则自所述顶部层阶移除所述第一刻蚀掩模，改变所述第一曝光设定值，使用改变后的所述第一曝光设定值形成下一第一刻蚀掩模，并重复所述测量；以及

当所测量的所述第一距离处于所述容限内时，则在第一刻蚀-修整制程中使用所述第一刻蚀掩模，

其中所述刻蚀-修整制程包括使用多于一个刻蚀-修整掩模进行的多于一个刻蚀-修整循环。

8.如权利要求7所述的形成一组对准掩模的方法，其中所述第一曝光设定值包括为形成所述第一刻蚀-修整掩模而校准的曝光能量以及焦心点。

9.如权利要求7所述的形成一组对准掩模的方法，其中所述一组层阶包括W个层阶L(i)，其中i为1至W，所述第一刻蚀-修整制程包括：

在所述第一刻蚀-修整循环中重复地修整所述第一刻蚀-修整掩模并使用经修整后的所述第一刻蚀-修整掩模刻蚀一个层阶达第一数目N1次重复，以在N1个各别层阶L(i)上形成N1个台阶，其中i为W-N1至W-1，其中所述N1个台阶设置于所述第一参考标记与所述第二参考标记之间。

10.如权利要求9所述的形成一组对准掩模的方法，其中所述第一刻蚀-修整制程将所述第一参考标记自所述一组层阶中的顶部层阶L(W)转移至所述一组层阶中的层阶L(W-N1-1)。