[发明专利]形成对准掩模或一组对准掩模的方法、半导体装置

说明书

一种形成对准掩模的方法包括：在基底上刻蚀参考标记，以区分刻蚀区的边界；使用曝光设定值在基底上形成刻蚀掩模，所述刻蚀掩模具有边界；以及测量参考标记与所述边界之间的距离。当所测量的距离超过目标距离的容限时，则自基底移除刻蚀掩模，改变曝光设定值，使用改变后的所述曝光设定值形成下一刻蚀掩模，并重复所述测量。可在一组层阶中的顶部层阶上刻蚀一组参考标记，以区分各刻蚀区的边界。可执行刻蚀‑修整制程以在所述一组层阶中形成台阶，其中所述刻蚀‑修整制程至少包括使用第一参考标记及第二参考标记的第一刻蚀‑修整循环及第二刻蚀‑修整循环。

技术领域

本发明技术大体而言是有关于高密度集成电路(integrated circuit，IC) 装置，且更具体而言是有关于形成具有大尺寸的掩模的方法。

背景技术

在存储器装置的制造过程中，形成具有大尺寸的刻蚀掩模可能具有挑战性。这是因为刻蚀掩模在两个相对的边界之间的尺寸可能过大而使得每次仅可在线(inline)监控所述两个相对的边界中的一个(例如使用在线扫描电子显微镜(scanning electronicmicroscope，SEM))。换句话说，刻蚀掩模的大尺寸图案可能使得所述刻蚀掩模的两个相对的边界无法同时轻易地监控。因此，难以在线直接测量大的刻蚀掩模在两个相对的边界之间的尺寸及接续相应地调整所述刻蚀掩模之大小。当必须测量此种大尺寸时，制造商可能需要自制造生产线取出晶圆及使用专门的非在线测量设备。

期望提供一种可形成所详述的具有可能难以在线测量的大尺寸的刻蚀掩模的技术。

发明内容

阐述一种形成对准掩模的方法。所述方法包括：在基底上刻蚀参考标记，以区分刻蚀区的边界；使用曝光设定值(exposure setting)在所述基底上形成刻蚀掩模，所述刻蚀掩模具有边界；以及测量所述参考标记与所述刻蚀掩模的所述边界之间的距离。当所测量的所述距离超过目标距离的容限时，则可自所述基底移除所述刻蚀掩模，可改变所述曝光设定值，可使用改变后的所述曝光设定值形成下一刻蚀掩模，并可重复所述测量步骤。当所测量的所述距离处于所述容限内时，则可在刻蚀制程中使用所述刻蚀掩模。

所述曝光设定值可包括为形成所述刻蚀掩模而校准的曝光能量以及焦心点(focus center)。所述刻蚀制程可包括：使用所述刻蚀掩模在所述基底中刻蚀凹陷部，将所述参考标记转移至所述凹陷部的底部。所述刻蚀制程可包括在所述凹陷部中形成存储器阵列。

阐述一种装置，所述装置包括：基底，包括延伸至所述基底中的凹陷部；以及参考标记，位于所述凹陷部的底部上，所述参考标记与所述凹陷部的一侧之间的距离处于目标距离的容限内。凹陷部的底部上的参考标记和所述凹陷部的一侧之间的目标距离与基底的上表面上的参考标记和用于刻蚀所述凹陷部的刻蚀掩模的边界之间的目标距离可为不同的且具有不同的值。凹陷部的底部上的参考标记和所述凹陷部的一侧之间的目标距离的容限与基底的上表面上的参考标记和用于刻蚀所述凹陷部的刻蚀掩模的边界之间的目标距离的容限可为不同的且具有不同的值。所述不同可归因于所述刻蚀掩模的所述边界的斜率、所述凹陷部的所述一侧的斜率、或其他因素。所述参考标记可平行于所述凹陷部的所述一侧设置。存储器阵列可设置于所述凹陷部中。

阐述一种形成一组对准掩模的方法。所述方法包括：在基底上的一组层阶(level)中的顶部层阶上刻蚀一组参考标记，以区分各刻蚀区的边界；以及执行刻蚀-修整制程，以在所述一组层阶中的各层阶处形成台阶，其中所述刻蚀-修整制程至少包括使用所述一组参考标记中的第一参考标记的第一刻蚀-修整循环及使用所述一组参考标记中的第二参考标记的第二刻蚀-修整循环。

所述第一刻蚀-修整循环可包括：使用第一曝光设定值在所述顶部层阶上形成第一刻蚀-修整掩模，所述第一刻蚀-修整掩模具有第一边界；以及测量所述一组参考标记中的所述第一参考标记与所述第一刻蚀掩模的所述第一边界之间的第一距离。