[发明专利]发光二极管结构有效
| 申请号： | 201810015565.5 | 申请日： | 2014-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN107968139B | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 李玉柱 | 申请（专利权）人： | 新世纪光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/36 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 骆希聪 |
| 地址： | 中国台湾台南市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 结构 | ||
1.一种发光二极管结构，其特征在于，包括：
N型半导体层；
发光层，配置于所述N型半导体层上；
第一P型半导体层，配置于所述发光层上且包含铝；以及
第二P型半导体层，配置于所述第一P型半导体层上且包含铝，其中所述第一P型半导体层的铝含量大于所述第二P型半导体层的铝含量，且所述第一P型半导体层的P型掺质浓度大于所述第二P型半导体层的P型掺质浓度，所述第一P型半导体层是用以阻挡电子并提供空穴进入所述发光层；
其中，所述第一P型半导体层的材料为AlxGa1-xN，其中x为0.09～0.2；
所述第二P型半导体层的材料为AlyGa1-yN，其中的y为0.01～0.15；
所述第二P型半导体层的厚度大于所述第一P型半导体层的厚度；
所述发光层发出主要发光波长介于365奈米至490奈米之间的光；
所述N型半导体层为N型氮化镓层；
所述第一P型半导体层与所述第二P型半导体层的厚度占整体P型半导体层的厚度的85％以上。
2.一种发光二极管结构，其特征在于包括：
N型半导体层；
发光层，配置于所述N型半导体层上；
第一P型半导体层，配置于所述发光层上且包含铝；
第二P型半导体层，配置于所述第一P型半导体层上且包含铝，其中所述第二P型半导体层的厚度大于所述第一P型半导体层的厚度，且所述第一P型半导体层的P型掺质浓度大于所述第二P型半导体层的P型掺质浓度，所述第一P型半导体层是用以阻挡电子并提供空穴进入所述发光层；以及
P型氮化铝铟镓层，配置于所述第一P型半导体层与所述发光层之间，用以减缓所述第一P型半导体层与所述发光层之间的应力；
其中，所述第一P型半导体层的材料为AlxGa1-xN，其中x为0.09～0.2；
所述第二P型半导体层的材料为AlyGa1-yN，其中的y为0.01～0.15；
所述发光层发出主要发光波长介于365奈米至490奈米之间的光；
所述N型半导体层为N型氮化镓层；
所述第一P型半导体层与所述第二P型半导体层的厚度占整体P型半导体层的厚度的85％以上。
3.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，还包括P型氮化铝铟镓层，配置于所述第一P型半导体层与所述发光层之间。
4.根据权利要求1或2所述的发光二极管结构，其特征在于，还包括：
N型电极，配置于所述N型半导体层上，且与所述N型半导体层电性连接；以及
P型电极，配置于第一P型半导体层上，且与所述第一P型半导体层电性连接。
5.根据权利要求1或2所述的发光二极管结构，其特征在于，还包括：
透明导电层，配置于所述第二P型半导体层上。
6.根据权利要求1或2所述的发光二极管结构，其特征在于，所述第一P型半导体层的能隙大于所述第二P型半导体层的能隙。
7.一种发光二极管结构，其特征在于，包括：
基板；
N型半导体层，配置于所述基板上；
发光层，配置于所述N型半导体层上；以及
P型半导体层，配置于所述发光层上，且包括P型氮化铝镓层及P型氮化铝铟镓层，其中所述P型氮化铝铟镓层配置于所述P型氮化铝镓层与所述发光层之间，用以减缓所述P型氮化铝镓与所述发光层之间的应力；
其中所述P型氮化铝镓层包括第一P型氮化铝镓层以及第二P型氮化铝镓层，所述第一P型氮化铝镓层位于所述第二P型氮化铝镓层与所述P型氮化铝铟镓层之间，且所述第一P型氮化铝镓层中的铝含量大于所述第二P型氮化铝镓层中的铝含量，所述第二P型半导体层的厚度大于所述第一P型半导体层的厚度；
其中所述第一P型氮化铝镓层中的P型掺质浓度大于所述第二P型氮化铝镓层中的P型掺质浓度，所述第一P型氮化铝镓层是用以阻挡电子并提供空穴进入所述发光层；
其中，所述第一P型氮化铝镓层的材料为AlxGa1-xN，其中x为0.09～0.2；
所述第二P型氮化铝镓层的材料为AlyGa1-yN，其中的y为0.01～0.15；
所述第二P型氮化铝镓层的厚度大于所述第一P型氮化铝镓层的厚度；
所述发光层发出主要发光波长介于365奈米至490奈米之间的光；
所述N型半导体层为N型氮化镓层；
所述P型氮化铝镓层的厚度占整体P型半导体层的厚度的85％以上。
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