[发明专利]发光二极管结构

说明书

本发明提供一种发光二极管结构。发光二极管结构包括基板、N型半导体层、发光层以及P型半导体层。N型半导体层配置于基板上。发光层适于发出主要发光波长介于365奈米至490奈米之间的光且配置于N型半导体层上。P型半导体层配置于发光层上，且包括P型氮化铝镓层。P型氮化铝镓层的厚度占整体P型半导体层的厚度的85％以上。

本申请是申请人于2014年1月13日提交的、申请号为“201410014540.5”的发明名称为“发光二极管结构”的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明是有关于一种半导体结构，且特别是有关于一种发光二极管结构。

背景技术

随着半导体科技的进步，现今的发光二极管已具备了高亮度的输出，加上发光二极管具有省电、体积小、低电压驱动以及不含汞等优点，因此发光二极管已广泛地应用在显示器与照明等领域。一般而言，发光二极管采用宽带隙半导体材料，如氮化镓(GaN)等材料，来进行制造。然而，当发光二极管的发光层放出近UV光或蓝光时，采用氮化镓所形成的P型半导体层会吸收波长约为365～490奈米左右的光，即会吸收近UV光与蓝光，进而影响整体发光二极管的出光效率。

发明内容

本发明提供一种发光二极管结构，其具有较佳的出光效率。

本发明的发光二极管结构，其包括基板、N型半导体层、发光层以及P型半导体层。N型半导体层配置于基板上。发光层适于发出主要发光波长介于365奈米至490奈米之间的光且配置于N型半导体层上。P型半导体层配置于发光层上，且包括P型氮化铝镓层。P型氮化铝镓层的厚度占整体P型半导体层的厚度的85％以上。

在本发明的一实施例中，上述的P型半导体层为P型氮化铝镓层。

在本发明的一实施例中，上述的P型半导体层还包括P型氮化镓层，配置于P型氮化铝镓层上。P型氮化镓层的厚度占整体P型半导体层的厚度的15％以下。

在本发明的一实施例中，上述的P型氮化铝镓层包括第一P型氮化铝镓层以及第二P型氮化铝镓层。第一P型氮化铝镓层中的铝含量不同于第二P型氮化铝镓层中的铝含量。

在本发明的一实施例中，上述的第一P型氮化铝镓层位于第二P型氮化铝镓层与发光层之间，且第一P型氮化铝镓层中的铝含量大于第二P型氮化铝镓层中的铝含量。

在本发明的一实施例中，上述的第一P型氮化铝镓层的材料为AlxGa1-xN，且x为0.09～0.2。

在本发明的一实施例中，上述的第二P型氮化铝镓层的材料为AlyGa1-yN，且y为0.01～0.15。

在本发明的一实施例中，上述的第二P型氮化铝镓层的厚度大于第一P型氮化铝镓层的厚度。

在本发明的一实施例中，上述的第一P型氮化铝镓层中的P型掺杂浓度大于第二P型氮化铝镓层的P型掺杂浓度。

在本发明的一实施例中，上述的P型半导体层还包括P型氮化铝铟镓层，配置于P型氮化铝镓层与发光层之间。

在本发明的一实施例中，上述的N型半导体层为N型氮化镓层。

在本发明的一实施例中，上述的发光二极管结构，还包括N型电极以及P型电极。N型电极配置于未被发光层所覆盖的N型半导体层上，且与N型半导体层电性连接。P型电极配置于P型半导体层上，且与P型半导体层电性连接。

在本发明的一实施例中，上述的发光二极管结构还包括透明导电层，配置于P型半导体层上。

基于上述，由于本发明的P型氮化铝镓层的厚度占整体P型半导体层的厚度的85％以上，因此可以降低P型半导体层吸收发光层所发出的近UV光或蓝光。如此一来，本发明的发光二极管结构可具有较佳的出光效率。