[发明专利]一种LED器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201810018058.7 | 申请日： | 2018-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN110021688A | 公开（公告）日： | 2019-07-16 |
| 发明（设计）人： | 黎子兰 | 申请（专利权）人： | 黎子兰 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/14;H01L33/44;H05K3/32 |
| 代理公司： | 北京天驰君泰律师事务所 11592 | 代理人： | 孟锐 |
| 地址： | 412300 湖南省株*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 衬底 移除 电子传输层 电极 外延片 填充透明材料 电极电连接 空穴传输层 导电路径 电连接 反射层 辐射层 制造 | ||
1.一种LED器件的制造方法，包括：
在外延片上设置P-电极/反射层，其中外延片包括衬底、电子传输层、辐射层和空穴传输层；
部分移除衬底，并在移除衬底的部分形成与电子传输层电连接的N-电极；
形成与N-电极电连接的导电路径；以及
在经部分移除的衬底中填充透明材料。
2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括，其中形成与N-电极电连接的导电路径在填充透明材料的步骤之前或之后。
3.根据权利要求1所述的方法，其中与N-电极电连接的导电路径延伸到保留的衬底。
4.根据权利要求1所述的方法，其中保留的衬底位于发光结构的周围并足以防止光泄露。
5.根据权利要求1所述的方法，其中填充透明材料中包括光转换材料。
6.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：在填充透明材料之前，在保留的衬底经部分移除的侧面设置反射层。
7.一种LED器件，包括：
衬底；
衬底上方的依次设置的电子传输层、辐射层和空穴传输层，其中，衬底中包括透明填充材料；
P-电极/反射层，其设置在空穴传输层上；以及
N-电极，其设置在电子传输层与透明填充材料之间。
8.根据权利要求7所述的LED器件，其中衬底中形成反射杯。
9.根据权利要求7所述的LED器件，其中衬底是Si衬底。
10.根据权利要求7所述的LED器件，进一步包括与N-电极电连接的导电路径，其中导电路径延伸到保留的衬底。
11.一种LED器件的封装方法，包括：
提供基板或PCB板，其包括多个触点；以及
将如权利要求1-6中任一方法制造的LED器件或者如权利要求7-10中任一的LED器件以倒装芯片方式、贴片方式或打线方式安装到基板或PCB板上。
12.一种照明装置，包括一个或多个如权利要求1-6中任一的LED器件，或者如权利要求7-10中任一的LED器件，或者采用如权利要求11方法封装的LED器件。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于黎子兰，未经黎子兰许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810018058.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：微发光二极管的转移设备及转移方法
- 下一篇：发光二极管及其制造方法
