[发明专利]一种LED器件及其制造方法

说明书

本发明涉及一种LED器件及其制造方法。该方法，包括：在外延片上设置P‑电极/反射层，其中外延片包括衬底、电子传输层、辐射层和空穴传输层；部分移除衬底，并在移除衬底的部分形成与电子传输层电连接的N‑电极；形成与N‑电极电连接的导电路径；以及在经部分移除的衬底中填充透明材料。

技术领域

本发明涉及LED技术领域，特别地涉及一种LED及其制造方法。

背景技术

基于包括氮化铝(AlN)、氮化镓(GaN)、氮化铟(InN)等化合物半导体及其多元化合物(AlInGaN)的III/V族氮化物半导体的LED已经在世界范围内推广使用。相比于普通的白炽灯，LED光源能够节能大约80％，是非常理想的节能产品。然而，制约LED全面取代白炽灯还存在一些困难。这其中一个重要的方面是现有的LED成本仍然较高。因此，如何降低LED的成本是本领域研究的重要方向之一。

发明内容

针对现有技术中存在的技术问题，本发明提出了一种LED器件的制造方法，包括：在外延片上设置P-电极/反射层，其中外延片包括衬底、电子传输层、辐射层和空穴传输层；部分移除衬底，并在移除衬底的部分形成与电子传输层电连接的N-电极；形成与N-电极电连接的导电路径；以及在经部分移除的衬底中填充透明材料。

如上所述的方法，进一步包括，其中形成与N-电极电连接的导电路径在填充透明材料的步骤之前或之后。

如上所述的方法，其中与N-电极电连接的导电路径延伸到保留的衬底。

如上所述的方法，其中保留的衬底位于LED器件的周围，并足以防止光泄露。

如上所述的方法，其中填充透明材料中包括光转换材料。

如上所述的方法，进一步包括：在填充透明材料之前，在保留的衬底经部分移除的侧面设置反射层。

根据本发明的另一个方面，提出一种LED器件，包括：衬底；衬底上方的依次设置的电子传输层、辐射层和空穴传输层，其中，衬底中包括透明填充材料；P-电极/反射层，其设置在空穴传输层上；以及N-电极，其设置在电子传输层与透明填充材料之间。

如上所述的LED器件，其中衬底中形成反射杯。

如上所述的LED器件，其中衬底是Si衬底。

如上所述的LED器件，进一步包括与N-电极电连接的导电路径，其中导电路径延伸到保留的衬底。

根据本发明的另一个方面，提出一种LED器件的封装方法，包括：提供基板或PCB板，其包括多个触点；以及将如上任一方法制造的LED器件或者如上任一的LED器件倒装芯片方式、贴片方式或打线方式安装到基板或PCB板上。

根据本发明的另一个方面，提出一种照明装置，包括一个或多个如上任一的LED器件，或者如上任一的LED器件，或者采用如上方法封装的LED器件。

附图说明

下面，将结合附图对本发明的优选实施方式进行进一步详细的说明，其中：

图1A-图1C是现有技术中在Sapphire衬底上制作LED芯片的示意图；

图2A-图2D是现有技术中在Si衬底上制作LED芯片的示意图；

图3A-图3K是根据本发明的一个实施例的LED器件示意图；

图4A-图4D示出了根据本发明实施例的LED器件示意图；

图5是根据本发明的一个实施例的LED器件的制造方法的示意图；以及

图6是根据本发明的一个实施例的LED器件的封装方法的示意图。

具体实施方式