[发明专利]一种LED器件及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201810018121.7 申请日: 2018-01-09
公开(公告)号: CN110021692A 公开(公告)日: 2019-07-16
发明(设计)人: 黎子兰 申请(专利权)人: 黎子兰
主分类号: H01L33/46 分类号: H01L33/46;H01L33/48;H01L33/50;H01L33/00
代理公司: 北京天驰君泰律师事务所 11592 代理人: 孟锐
地址: 412300 湖南省株*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 衬底 移除 空穴传输层 辐射层 电子传输层 电极 外延片 制造 填充透明材料 保留
【权利要求书】:

1.一种LED器件的制造方法,包括:

在外延片上设置P-电极,其中外延片包括衬底、电子传输层、辐射层和空穴传输层;

移除部分空穴传输层和辐射层,并在曝露出的电子传输层上设置N-电极;

部分移除衬底,保留被移除的空穴传输层和辐射层区域或其一部分对应的衬底;以及

在经部分移除的衬底中填充透明材料。

2.根据权利要求1所述的方法,进一步包括在移除部分空穴传输层和辐射层之后,移除部分电子传输层。

3.根据权利要求1所述的方法,其中填充透明材料中包括光转换材料。

4.根据权利要求1所述的方法,其中保留的衬底位于LED器件的周围。

5.根据权利要求4所述的方法,其中所述方法进一步包括在填充的透明材料上施加光转换材料。

6.根据权利要求1所述的方法,进一步包括:在填充透明材料之前,在经部分移除的衬底空洞的侧面设置反射层。

7.一种LED器件,包括:

衬底;

衬底上方的依次设置的电子传输层、辐射层和空穴传输层,其中辐射层和空穴传输层被部分移除以曝露电子传输层,其中,衬底中填充透明材料;

P-电极,其设置在空穴传输层上;以及

N-电极,其设置在经曝露的电子传输层上。

8.根据权利要求7所述的LED器件,其中衬底中形成的反射杯。

9.根据权利要求7所述的LED器件,其中衬底是Si衬底。

10.根据权利要求7所述的LED器件,其中衬底在经部分移除的辐射层和空穴传输层区域或其一部分上。

11.根据权利要求7所述的LED器件,其中经填充的透明材料中包括光转换物质。

12.根据权利要求7所述的LED器件,其中衬底位于LED器件的周围。

13.根据权利要求12所述的LED器件,进一步包括经填充的透明材料和衬底上方的光转换物质层,其中经填充的透明材料中不包括光转换物质。

14.一种LED器件的封装方法,包括:

提供基板或PCB板,其包括多个触点;以及

将如权利要求1-6中任一方法制造的LED器件或者如权利要求7-13中任一的LED器件以倒装芯片的方式或贴片方式安装到基板或PCB板上。

15.根据权利要求14所述的方法,进一步包括在在如权利要求1-6中任一方法制造的LED器件或者如权利要求7-12的LED器件上施加光转换物质。

16.一种照明装置,包括一个或多个如权利要求1-6中任一的LED器件,或者如权利要求7-13中任一的LED器件,或者采用如权利要求14或15中任一的方法封装的LED器件。

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