[发明专利]一种LED器件及其制造方法在审
申请号: | 201810018121.7 | 申请日: | 2018-01-09 |
公开(公告)号: | CN110021692A | 公开(公告)日: | 2019-07-16 |
发明(设计)人: | 黎子兰 | 申请(专利权)人: | 黎子兰 |
主分类号: | H01L33/46 | 分类号: | H01L33/46;H01L33/48;H01L33/50;H01L33/00 |
代理公司: | 北京天驰君泰律师事务所 11592 | 代理人: | 孟锐 |
地址: | 412300 湖南省株*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底 移除 空穴传输层 辐射层 电子传输层 电极 外延片 制造 填充透明材料 保留 | ||
1.一种LED器件的制造方法,包括:
在外延片上设置P-电极,其中外延片包括衬底、电子传输层、辐射层和空穴传输层;
移除部分空穴传输层和辐射层,并在曝露出的电子传输层上设置N-电极;
部分移除衬底,保留被移除的空穴传输层和辐射层区域或其一部分对应的衬底;以及
在经部分移除的衬底中填充透明材料。
2.根据权利要求1所述的方法,进一步包括在移除部分空穴传输层和辐射层之后,移除部分电子传输层。
3.根据权利要求1所述的方法,其中填充透明材料中包括光转换材料。
4.根据权利要求1所述的方法,其中保留的衬底位于LED器件的周围。
5.根据权利要求4所述的方法,其中所述方法进一步包括在填充的透明材料上施加光转换材料。
6.根据权利要求1所述的方法,进一步包括:在填充透明材料之前,在经部分移除的衬底空洞的侧面设置反射层。
7.一种LED器件,包括:
衬底;
衬底上方的依次设置的电子传输层、辐射层和空穴传输层,其中辐射层和空穴传输层被部分移除以曝露电子传输层,其中,衬底中填充透明材料;
P-电极,其设置在空穴传输层上;以及
N-电极,其设置在经曝露的电子传输层上。
8.根据权利要求7所述的LED器件,其中衬底中形成的反射杯。
9.根据权利要求7所述的LED器件,其中衬底是Si衬底。
10.根据权利要求7所述的LED器件,其中衬底在经部分移除的辐射层和空穴传输层区域或其一部分上。
11.根据权利要求7所述的LED器件,其中经填充的透明材料中包括光转换物质。
12.根据权利要求7所述的LED器件,其中衬底位于LED器件的周围。
13.根据权利要求12所述的LED器件,进一步包括经填充的透明材料和衬底上方的光转换物质层,其中经填充的透明材料中不包括光转换物质。
14.一种LED器件的封装方法,包括:
提供基板或PCB板,其包括多个触点;以及
将如权利要求1-6中任一方法制造的LED器件或者如权利要求7-13中任一的LED器件以倒装芯片的方式或贴片方式安装到基板或PCB板上。
15.根据权利要求14所述的方法,进一步包括在在如权利要求1-6中任一方法制造的LED器件或者如权利要求7-12的LED器件上施加光转换物质。
16.一种照明装置,包括一个或多个如权利要求1-6中任一的LED器件,或者如权利要求7-13中任一的LED器件,或者采用如权利要求14或15中任一的方法封装的LED器件。
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