[发明专利]一种LED器件及其制造方法

说明书

本发明涉及一种LED器件及其制造方法。该LED器件的制造方法，包括：在外延片上设置P‑电极，其中外延片包括衬底、电子传输层、辐射层和空穴传输层；移除部分空穴传输层和辐射层，并在曝露出的电子传输层上设置N‑电极；部分移除衬底，保留至少部分被移除的空穴传输层和辐射层区域的衬底；以及在经部分移除的衬底中填充透明材料。

技术领域

本发明涉及LED技术领域，特别地涉及一种LED及其制造方法。

背景技术

基于包括氮化铝(AlN)、氮化镓(GaN)、氮化铟(InN)等化合物半导体及其多元化合物(AlInGaN)的III/V族氮化物半导体的LED已经在世界范围内推广使用。相比于普通的白炽灯，LED光源能够节能大约80％，是非常理想的节能产品。然而，制约LED全面取代白炽灯还存在一些困难。这其中一个重要的方面是现有的LED成本仍然较高。因此，如何降低LED的成本是本领域研究的重要方向之一。

发明内容

针对现有技术中存在的技术问题，本发明提出了一种LED器件的制造方法，包括：在外延片上设置P-电极，其中外延片包括衬底、电子传输层、辐射层和空穴传输层；移除部分空穴传输层和辐射层，并在曝露出的电子传输层上设置N-电极；部分移除衬底，保留被移除的空穴传输层和辐射层区域或其一部分对应的衬底；以及在经部分移除的衬底中填充透明材料。

如上所述的方法，进一步包括在移除部分空穴传输层和辐射层之后，移除部分电子传输层。

如上所述的方法，其中填充透明材料中包括光转换材料。

如上所述的方法，其中保留的衬底位于LED器件的周围。

如上所述的方法，其中所述方法进一步包括在填充的透明材料上施加光转换材料。

如上所述的方法，进一步包括：在填充透明材料之前，在经部分移除的衬底空洞的侧面设置反射层。

根据本发明的另一个方面，提出一种LED器件，包括：衬底；衬底上方的依次设置的电子传输层、辐射层和空穴传输层，其中辐射层和空穴传输层被部分移除以曝露电子传输层，其中，衬底中填充透明材料；P-电极，其设置在空穴传输层上；以及N-电极，其设置在经曝露的电子传输层上。

如上所述的LED器件，其中衬底中形成的反射杯。

如上所述的LED器件，其中衬底是Si衬底。

如上所述的LED器件，其中衬底在经部分移除的辐射层和空穴传输层区域或其一部分上。

如上所述的LED器件，其中经填充的透明材料中包括光转换物质。

如上所述的LED器件，其中衬底位于LED器件的周围。

如上所述的LED器件，进一步包括经填充的透明材料和衬底上方的光转换物质层，其中经填充的透明材料中不包括光转换物质。

根据本发明的另一个方面，提出一种LED器件的封装方法，包括：提供基板或PCB板，其包括多个触点；以及将如上方法制造的LED器件或者上LED器件以倒装芯片的方式或贴片方式安装到基板或PCB板上。

如上所述的方法，进一步包括，施加光转换物质。

根据本发明的另一个方面，提出一种照明装置，包括一个或多个如上方法制造的LED器件，或者如上结构的LED器件，或者如上方法封装的LED器件。

附图说明

下面，将结合附图对本发明的优选实施方式进行进一步详细的说明，其中：

图1A-图1C是现有技术中蓝宝石Sapphire衬底上LED芯片的示意图；

图2A-图2D是现有技术中在Si衬底上制作LED芯片的示意图；