[发明专利]一种具有抗单粒子瞬态效应的缓冲器有效
申请号: | 201810019058.9 | 申请日: | 2018-01-09 |
公开(公告)号: | CN108336992B | 公开(公告)日: | 2021-09-14 |
发明(设计)人: | 彭春雨;刘畅咏;吴秀龙;蔺智挺;黎轩;陈军宁 | 申请(专利权)人: | 安徽大学 |
主分类号: | H03K19/0185 | 分类号: | H03K19/0185 |
代理公司: | 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 | 代理人: | 郑立明;郑哲 |
地址: | 230601 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 粒子 瞬态 效应 缓冲器 | ||
1.一种具有抗单粒子瞬态效应的缓冲器,其特征在于,包括:依次连接多级的反相器,所有反相器的结构相同,均包括三个PMOS管和三个NMOS管;其中:
第一PMOS管的源端接VDD;第一PMOS管的漏端接第二PMOS管的源端和第一NMOS管的漏端,这一节点记为第一输出节点;第二PMOS管的漏端接第三PMOS管的源端和第二NMOS管的漏端;第三PMOS管的漏端接第三NMOS3管的漏端,记为第二输出节点;第一、第二与第三NMOS管的源端均接VSS;
第一级反相器三个PMOS管和三个NMOS管的栅端都接输入n1;上一级反相器的第一输出节点接下一级反相器中三个PMOS管的栅端,上一级反相器的第二输出节点接下一级反相器中三个NMOS管的栅端。
2.根据权利要求1所述的一种具有抗单粒子瞬态效应的缓冲器,其特征在于,
当输入n1的信号为低电平时,第一级反相器中的三个PMOS管均导通,三个NMOS管均截止,第一级反相器中第一与第二输出节点的输出为高电平,第二级反相器中的三个PMOS管均截止,三个NMOS管均导通,第二级反相器中第一与第二输出节点的输出为低电平,以此类推,最后一级反相器中第一与第二输出节点的输出也为低电平;
当输入n1的信号为高电平时,第一级反相器中的三个PMOS管均截止,三个NMOS管均导通,第一级反相器中第一与第二输出节点的输出为低电平,第二级反相器中的三个PMOS管均导通,三个NMOS管均截止,第二级反相器中第一与第二输出节点的输出为高电平,以此类推,最后一级反相器中第一与第二输出节点的输出也为高电平。
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