[发明专利]一种具有抗单粒子瞬态效应的缓冲器

权利要求书

1.一种具有抗单粒子瞬态效应的缓冲器，其特征在于，包括：依次连接多级的反相器，所有反相器的结构相同，均包括三个PMOS管和三个NMOS管；其中：

第一PMOS管的源端接VDD；第一PMOS管的漏端接第二PMOS管的源端和第一NMOS管的漏端，这一节点记为第一输出节点；第二PMOS管的漏端接第三PMOS管的源端和第二NMOS管的漏端；第三PMOS管的漏端接第三NMOS3管的漏端，记为第二输出节点；第一、第二与第三NMOS管的源端均接VSS；

第一级反相器三个PMOS管和三个NMOS管的栅端都接输入n1；上一级反相器的第一输出节点接下一级反相器中三个PMOS管的栅端，上一级反相器的第二输出节点接下一级反相器中三个NMOS管的栅端。

2.根据权利要求1所述的一种具有抗单粒子瞬态效应的缓冲器，其特征在于，

当输入n1的信号为低电平时，第一级反相器中的三个PMOS管均导通，三个NMOS管均截止，第一级反相器中第一与第二输出节点的输出为高电平，第二级反相器中的三个PMOS管均截止，三个NMOS管均导通，第二级反相器中第一与第二输出节点的输出为低电平，以此类推，最后一级反相器中第一与第二输出节点的输出也为低电平；

当输入n1的信号为高电平时，第一级反相器中的三个PMOS管均截止，三个NMOS管均导通，第一级反相器中第一与第二输出节点的输出为低电平，第二级反相器中的三个PMOS管均导通，三个NMOS管均截止，第二级反相器中第一与第二输出节点的输出为高电平，以此类推，最后一级反相器中第一与第二输出节点的输出也为高电平。