[发明专利]基片处理装置

权利要求书

1.一种基片处理装置，其使用含有离子的处理气体对被处理基片进行处理，所述基片处理装置的特征在于，包括：

用于收纳被处理基片的处理容器；

对所述处理容器的内部供给处理气体的气体供给部；

对所述处理容器的内部进行排气的排气部；和

离子传感器，其至少测定所述处理容器的内部、所述气体供给部的内部或所述排气部的内部的气体中所含有的所述离子的数量，

在所述离子传感器的内部形成有供气体流通的气体流通路径，

在所述气体流通路径的内部设置有用于收集离子的集电极。

2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：

所述离子传感器设置于所述排气部。

3.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：

所述离子传感器设置在形状与所述被处理基片相同的测定用基片上。

4.如权利要求3所述的基片处理装置，其特征在于：

在所述测定用基片至少还设置有风速传感器或温度传感器。

5.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：

所述气体流通路径包括呈直线状延伸的直线部和与所述直线部连接的弯曲部，

所述集电极设置于弯曲部。

6.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：

所述集电极以覆盖所述气体流通路径的内侧面的方式设置。

7.如权利要求1～6中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：

所述处理气体是HMDS气体。