[发明专利]基片处理装置

说明书

本发明提供使用简易的装置恰当地测定处理气体的浓度。本发明的疏水化处理装置(41)使用含有离子的处理气体对晶片(W)进行处理，其包括：用于收纳晶片(W)的处理容器(300)；对处理容器(300)的内部供给HMDS气体的气体供给部(320)；对处理容器(300)的内部进行排气的排气部(340)；和离子传感器(346)，其至少测定处理容器(300)的内部、气体供给部(320)的内部或排气部(340)的内部的气体中所含有的离子的数量。

技术领域

本发明涉及使用含有离子的处理气体对被处理基片进行处理的基片处理装置。

背景技术

例如，在半导体器件制造中的光刻处理中，例如依次进行使半导体晶片(以下称“晶片”)表面疏水化的疏水化处理、在疏水化后的晶片上涂覆抗蚀剂液而形成抗蚀剂膜的抗蚀剂涂覆处理、对该抗蚀剂膜曝光规定的图案的曝光处理、和对曝光后抗蚀剂膜进行显影的显影处理等，由此在晶片上形成规定的抗蚀剂图案。

上述疏水化处理的目的是提高晶片表面与抗蚀剂膜间的附着力，是为了使亲水性的晶片表面改变为疏水性而进行的。在该疏水化处理中，对晶片表面供给规定时间的疏水化处理剂，例如HMDS(Hexamethyldisilazane，六甲基二硅氮烷)气体，使晶片表面与HMDS发生化学反应。即，利用该化学反应将晶片表面的羟基置换为三甲基硅基(trimethylsilanol)，使该晶片表面疏水化。于是，在后续步骤中能够抑制抗蚀剂膜从晶片表面剥离。

为了恰当地进行上述的疏水化处理，使用恰当浓度的HMDS气体来促进晶片与HMDS的化学反应是非常重要的。若疏水化处理未能恰当地进行，则之后的抗蚀剂涂覆处理将不能适当地进行，例如会发生批次不良、成品率降低。

因此，需要监视HMDS气体的浓度。例如，专利文献1公开了一种使用定电位电解方式的HMDS浓度传感器来测定HMDS气体的浓度的技术。另外，该专利文献1还公开了使用隔膜电极方式的NH₃浓度传感器来测定因疏水化处理而产生的NH₃气体的浓度的技术。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平7-142311号公报

发明内容

发明想要解决的技术问题

不过，在像上述专利文献1所记载的方法那样直接测定HMDS气体或NH₃气体的浓度的情况下，测定时使用的浓度传感器价格昂贵并且外型较大。

此外，为了测定HMDS气体的浓度，还可以考虑例如使用红外线传感器。不过，红外线传感器同样也是价格昂贵并且外型较大。因此，在HMDS浓度的测定方面还存在改进的余地。

本发明鉴于上述问题而作出，其目的在于使用简易的装置来恰当地测定处理气体的浓度。

解决技术问题的技术方案

为实现上述目的，发明人经认真研究发现，HMDS气体的浓度与使用HMDS气体时离子传感器测得的离子的数量存在相关。并且，该离子传感器与现有的浓度传感器和红外线传感器相比价格低廉并且外型较小。

本发明基于该认识而完成的，本发明的基片处理装置使用含有离子的处理气体对被处理基片进行处理，其特征在于，包括：用于收纳被处理基片的处理容器；对上述处理容器的内部供给处理气体的气体供给部；对上述处理容器的内部进行排气的排气部；和离子传感器，其至少测定上述处理容器的内部、上述气体供给部的内部或上述排气部的内部的气体中所含有的上述离子的数量。

上述离子传感器可以设置于上述排气部。

上述离子传感器可以设置在形状与上述被处理基片相同的测定用基片上。

本发明的基片处理装置可以是，在上述测定用基片上至少还设置有风速传感器或温度传感器。