[发明专利]磁存储器装置

权利要求书

1.一种磁存储器装置，包括：

位于衬底上的磁隧道结图案；

掩模结构，其包括导电图案和牺牲图案，所述导电图案在所述磁隧道结图案与所述牺牲图案之间，所述牺牲图案包括相对于所述导电图案具有蚀刻选择性的材料；以及

上接触插塞，其不仅覆盖所述掩模结构的顶表面还覆盖所述掩模结构的包括所述导电图案的侧表面和所述牺牲图案的侧表面的侧表面，以与所述掩模结构的顶表面和所述导电图案的侧表面接触。

2.根据权利要求1所述的磁存储器装置，其中，

所述导电图案与所述磁隧道结图案接触，并且

所述上接触插塞通过所述导电图案电耦接至所述磁隧道结图案。

3.根据权利要求1所述的磁存储器装置，其中，在平面图中，所述上接触插塞构造为至少部分地围绕所述掩模结构的侧表面。

4.根据权利要求1所述的磁存储器装置，其中，

所述掩模结构包括位于所述磁隧道结图案上的图案交替堆叠件，所述图案交替堆叠件包括多个导电图案和多个牺牲图案，

所述多个导电图案包括与所述磁隧道结图案接触的最下面的导电图案，并且

所述上接触插塞与所述最下面的导电图案的表面接触。

5.根据权利要求1所述的磁存储器装置，其中，所述导电图案包括金属和导电金属氮化物中的至少一种材料。

6.根据权利要求5所述的磁存储器装置，其中，所述牺牲图案包括氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和金属氧化物中的至少一种材料。

7.根据权利要求5所述的磁存储器装置，其中，所述牺牲图案和所述导电图案包括共同的金属元素。

8.根据权利要求1所述的磁存储器装置，还包括：

位于所述衬底上的第一层间绝缘层，所述磁隧道结图案至少部分地延伸穿过所述第一层间绝缘层；

位于所述第一层间绝缘层上的第二层间绝缘层，所述掩模结构至少部分地延伸穿过所述第二层间绝缘层；

所述磁隧道结图案与所述第一层间绝缘层之间的第一保护层；以及

所述第一层间绝缘层与所述第二层间绝缘层之间的第二保护层，所述第二保护层与所述导电图案的侧表面接触，

其中，所述上接触插塞穿过所述第二层间绝缘层的至少一部分，并且与所述导电图案的侧表面接触。

9.根据权利要求8所述的磁存储器装置，其中，所述导电图案与所述磁隧道结图案接触。

10.根据权利要求9所述的磁存储器装置，其中，

所述第二保护层在所述上接触插塞与所述第一层间绝缘层之间，

所述第二保护层在所述上接触插塞与所述第一保护层之间，并且

所述第二保护层与所述导电图案的侧表面接触。

11.根据权利要求10所述的磁存储器装置，其中，所述第二保护层至少部分地位于所述导电图案的侧表面与所述上接触插塞之间。

12.根据权利要求8所述的磁存储器装置，还包括：

所述衬底与所述第一层间绝缘层之间的下层间绝缘层；以及

在所述下层间绝缘层中并且连接至所述磁隧道结图案的下接触插塞，

其中，所述第一保护层在所述磁隧道结图案的侧表面与所述第一层间绝缘层之间，并且所述第一保护层在所述下层间绝缘层与所述第一层间绝缘层之间。

13.根据权利要求8所述的磁存储器装置，其中，所述第二保护层包括相对于所述第二层间绝缘层具有蚀刻选择性的材料。