[发明专利]磁存储器装置

说明书

一种磁存储器装置，包括衬底上的磁隧道结图案和磁隧道结图案上的掩模结构。掩模结构包括导电图案和牺牲图案，其中导电图案在磁隧道结图案与牺牲图案之间，牺牲图案包括相对于导电图案具有蚀刻选择性的材料。所述装置包括与掩模结构的导电图案的表面接触的上接触插塞。所述装置包括覆盖衬底的单元区和外围电路区的下层间绝缘层，其中单元区上的下层间绝缘层在邻近的磁隧道结图案之间具有凹进的顶表面。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年1月10日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2017-0003663的优先权，该专利申请的全部内容以引用方式并入本文中。

技术领域

本公开涉及磁存储器装置及其制造方法，并且具体地说，涉及包括磁隧道结的磁存储器装置及其制造方法。

背景技术

由于对速度增加和/或功耗减小的电子装置的需求增加，半导体装置可构造为以更快的操作速度和/或更低的操作电压来操作。已经提议使用磁存储器装置来实现这样的装置。例如，磁存储器装置可提供诸如延迟减小和/或非易失性的技术优点。结果，磁存储器装置正在成为下一代存储器装置。

磁存储器装置包括磁隧道结(MTJ)图案。MTJ图案可包括两个磁层和介于它们之间的绝缘层。MTJ图案的电阻根据磁层的磁化方向而变化。例如，当磁层的磁化方向彼此反向平行时MTJ图案的电阻比当磁层的磁化方向彼此平行时更高。这种电阻的差异可用于磁存储器装置的数据存储操作。

然而，仍然需要更多的研究来批量生产磁存储器装置和满足对具有更高集成密度和更低功耗特性的磁存储器装置的需要。

发明内容

本发明构思的一些示例实施例提供了具有改进的电特性的磁存储器装置和一种制造该磁存储器装置的方法。

本发明构思的一些示例实施例提供了一种容易地制造磁存储器装置的方法和由此制造的磁存储器装置。

根据本发明构思的一些示例实施例，一种磁存储器装置可包括：衬底上的磁隧道结图案；掩模结构，其包括导电图案和牺牲图案，导电图案在磁隧道结图案与牺牲图案之间，牺牲图案包括相对于导电图案具有蚀刻选择性的材料；以及上接触插塞，其与导电图案的表面接触。

根据本发明构思的一些示例实施例，一种磁存储器装置可包括：衬底上的多个磁隧道结图案，所述多个磁隧道结图案中的邻近的磁隧道结图案在平行于衬底的顶表面的方向上彼此间隔开；以及所述多个磁隧道结图案中的分离的对应的磁隧道结图案上的多个掩模结构。所述多个掩模结构中的每个掩模结构可包括图案交替堆叠件，图案交替堆叠件包括至少两个导电图案和至少两个牺牲图案。所述至少两个牺牲图案中的每个牺牲图案可包括相对于所述至少两个导电图案具有蚀刻选择性的材料。

根据本发明构思的一些示例实施例，一种磁存储器装置可包括：衬底，所述衬底包括单元区和外围电路区；下层间绝缘层，其覆盖衬底的单元区和外围电路区；在下层间绝缘层上且在单元区上的多个磁隧道结图案，所述多个磁隧道结图案在平行于衬底的顶表面的方向上彼此间隔开；以及所述多个磁隧道结图案中的分离的对应的磁隧道结图案上的多个掩模结构。所述多个掩模结构中的每个掩模结构可包括导电图案和牺牲图案。所述多个掩模结构的各个牺牲图案可分别包括相对于所述多个掩模结构的导电图案具有蚀刻选择性的材料。单元区上的下层间绝缘层可具有在所述多个磁隧道结图案中的邻近的磁隧道结图案之间的凹进顶表面，所述凹进顶表面朝着衬底凹进。当从衬底的顶表面测量时，外围电路区上的下层间绝缘层的顶表面低于所述凹进顶表面。

根据一些示例实施例，一种磁存储器装置可包括：衬底上的磁隧道结图案；以及包括导电图案和牺牲图案的掩模结构。所述导电图案可在磁隧道结图案与牺牲图案之间，所述牺牲图案可包括相对于导电图案具有蚀刻选择性的材料。

附图说明

将从下面结合附图的简单描述中更清楚地理解示例实施例。附图表示了如本文所述的非限制性示例实施例。