[发明专利]用于NB‑IOT技术的射频功率放大器

权利要求书

1.一种射频功率放大器，其特征在于，其包括：

基板；

射频输入端；

射频输出端；

依次耦接于所述射频输入端和所述射频输出端之间的输入匹配电路、第一级射频功率放大结构、级间匹配电路、第二级射频功率放大结构和输出匹配电路，

其中第一级射频功率放大结构包括第一射频功率放大晶体管和第一偏置电路，第一偏置电路给第一射频功率放大晶体管的基极提供偏置电压，第二级射频功率放大结构包括第二射频功率放大晶体管和第二偏置电路，第二偏置电路给第二射频功率放大晶体管的基极提供偏置电压，

输入匹配电路包括依次耦接于射频输入端和第一射频功率放大晶体管的基极之间的电容C1和电阻R1、依次耦接于第一射频功率放大晶体管的集电极和基极之间的电容C2和电阻R4，以及耦接于射频输入端和接地端之间的电感L1；

级间匹配电路包括耦接于电源端和第一射频功率放大晶体管的集电极之间的电感RFC1、依次耦接于第一射频功率放大晶体管的集电极和第二射频功率放大晶体管的基极之间的电容C4、电容C5和电阻R5，耦接于电容C4和电容C5的中间节点和接地端之间的电感L3，耦接于第一射频功率放大晶体管的集电极和接地端之间的电容C3和电感L2；

输出匹配电路包括耦接于电源端和第二射频功率放大晶体管的集电极之间的电感RFC2、耦接于第二射频功率放大晶体管的集电极和射频输出端之间的电容C8，依次耦接于第二射频功率放大晶体管的集电极和接地端之间的电容C6和电感L4，依次耦接于第二射频功率放大晶体管的集电极和接地端之间的电容C7和电感L5，耦接于射频输出端和接地端之间的电感L6；

其中电感L1、电感L2、电感L3、电感L4、电感L5、电感L6、电感RFC1、电感RFC2、电感RFC3均由基板上的传输线形成。

2.根据权利要求1所述的射频功率放大器，其特征在于，电感L1至电感6，电感RFC1-电感RFC2均为片上电感，电容C1至电容C8均为片上电容，所述射频功率放大器为形成于砷化镓芯片上。

3.根据权利要求1所述的射频功率放大器，其特征在于，第一偏置电路包括电阻R2、电容C9，双极型晶体管T3、T4和T5，电阻R2的一端与参考电压端相连，电阻R2的另一端与双极型晶体管T5的集电极相连，双极型晶体管T5的基极与其集电极相连，双极型晶体管T5的发射极与双极型晶体管T4的集电极相连，双极型晶体管T4的基极与其集电极相连，双极型晶体管T4的发射极接地，电容C9耦接于双极型晶体管T3的基极和接地端之间，双极型晶体管T3的基极与双极型晶体管T5的集电极相连，双极型晶体管T3的集电极与参考电压端相连，双极型晶体管T3的发射极耦接于第一射频功率放大晶体管的基极；

第二偏置电路包括电阻R3、电容C10，双极型晶体管T7、T8和T6，电阻R3的一端与参考电压端相连，电阻R3的另一端与双极型晶体管T8的集电极相连，双极型晶体管T8的基极与其集电极相连，双极型晶体管T8的发射极与双极型晶体管T7的集电极相连，双极型晶体管T7的基极与其集电极相连，双极型晶体管T7的发射极接地，电容C10耦接于双极型晶体管T6的基极和接地端之间，双极型晶体管T6的基极与双极型晶体管T8的集电极相连，双极型晶体管T6的集电极与参考电压端相连，双极型晶体管T6的发射极耦接于第二射频功率放大晶体管的基极，

电容C9至电容C10均为片上电容。

4.根据权利要求1所述的射频功率放大器，其特征在于，电容C3和电感L2形成二阶谐振网络，谐振频率是主频的两倍，抑制主频的二次谐波，电容C6和电感L4形成二阶谐振网络，其谐振频率是主频的两倍，抑制主频的二次谐波；电容C7和电感L5形成三阶谐振网络，谐振频率是主频的三倍，抑制主频的三次谐波。