[发明专利]用于NB‑IOT技术的射频功率放大器

说明书

【技术领域】

本发明涉及射频电路领域，特别涉及用于NB-IOT(Narrow Band Internet of Things,NB-IoT,适应蜂窝窄带物联网)技术的射频功率放大器。

【背景技术】

现有的单频段2mm*2.5mm功率放大器模块的典型设计：一颗砷化镓芯片提供功率放大器所需要的射频功率；一颗CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)芯片提供给砷化镓芯片稳定的工作电压值以保证砷化镓晶体管的工作状态不受外界电压源波动的影响；封装厂把砷化镓芯片、CMOS芯片、SMD(Surface Mount Technology)电容电感贴在基板上，然后通过打金线或者铜线的方式把他们连接在一起，然后通过打金线的方式把他们连接在一起，最后通过LGA(Land Grid Array)的封装形式把他们封装在一起。

上述典型设计中需要用到0201或者01005的SMD电容电感和基板。SMD电容电感的作用是射频匹配、电容滤波和射频隔直：射频匹配包括输入匹配，级间匹配和输出匹配；电容滤波主要是对电源上的低频进行滤波以保证射频功率放大器工作在稳定的状态下；射频隔直电容保证射频信号能够通过该通路而直流不能通过。同时采用SMD的设计必须要引入基板进行封装。

现有技术中的采用SMD电容电感和基板的设计方案封装成本高、设计复杂。因此，有必要提出一种改进的方案来克服上述问题。

【发明内容】

本发明的目的在于提供一种用于NB-IOT技术的射频功率放大器，其采用无SMD电容电感的设计方案，可以节省封装成本。

为实现本发明的目的，本发明提供一种射频功率放大器，其包括：基板；射频输入端；射频输出端；依次耦接于所述射频输入端和所述射频输出端之间的输入匹配电路、第一级射频功率放大结构、级间匹配电路、第二级射频功率放大结构和输出匹配电路，其中第一级射频功率放大结构包括第一射频功率放大晶体管和第一偏置电路，第一偏置电路给第一射频功率放大晶体管的基极提供偏置电压，第二级射频功率放大结构包括第二射频功率放大晶体管和第二偏置电路，第二偏置电路给第二射频功率放大晶体管的基极提供偏置电压，输入匹配电路包括依次耦接于射频输入端和第一射频功率放大晶体管的基极之间的电容C1和电阻R1、依次耦接于第一射频功率放大晶体管的集电极和基极之间的电容C2和电阻R4，以及耦接于射频输入端和接地端之间的电感L1；级间匹配电路包括耦接于电源端和第一射频功率放大晶体管的集电极之间的电感RFC1、依次耦接于第一射频功率放大晶体管的集电极和第二射频功率放大晶体管的基极之间的电容C4、电容C5和电阻R5，耦接于电容C4和电容C5的中间节点和接地端之间的电感L3，耦接于第一射频功率放大晶体管的集电极和接地端之间的电容C3和电感L2；输出匹配电路包括耦接于电源端和第二射频功率放大晶体管的集电极之间的电感RFC2、耦接于第二射频功率放大晶体管的集电极和射频输出端之间的电容C8，依次耦接于第二射频功率放大晶体管的集电极和接地端之间的电容C6和电感L4，依次耦接于第二射频功率放大晶体管的集电极和接地端之间的电容C7和电感L5，耦接于射频输出端和接地端之间的电感L6；其中电感L1、电感L2、电感L3、电感L4、电感L5、电感L6、电感RFC1、电感RFC2、电感RFC3均由基板上的传输线形成。

与现有技术相比，本发明中的用于NB-IOT技术的射频功率放大器除了电感均位于一块芯片上，而各个电感均是由基板上的传输线形成的，无需采用SMD电感，设计简单，降低了成本。

【附图说明】

结合参考附图及接下来的详细描述，本发明将更容易理解，其中同样的附图标记对应同样的结构部件，其中：

图1为本发明中的用于NB-IOT技术的射频功率放大器在一个实施例中的电路图。

【具体实施方式】

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。

有鉴于此，本发明提出了一种用于NB-IOT技术的射频功率放大器，其不需要采用SMD电容电感和基板。

图1为本发明中的用于NB-IOT技术的射频功率放大器100在一个实施例中的电路图。所述射频功率放大器100包括：射频输入端IN；射频输出端OUT；依次耦接于所述射频输入端和所述射频输出端之间的输入匹配电路、第一级射频功率放大结构、级间匹配电路、第二级射频功率放大结构和输出匹配电路。