[发明专利]存储器单元

权利要求书

1.一存储器单元，包括：

一基底；

一深沟渠电容器，形成在该基底中；以及

一垂直晶体管，形成在该基底上，且电性连接至该深沟渠电容器，其中该垂直晶体管包括：

一源极区和一漏极区，垂直堆叠在该基底上；

一通道区，垂直夹在该源极区和该漏极区之间；以及

一栅极结构，环状围绕该通道区，

其中该通道区位于该源极区的上方，且借着该源极区垂直间隔开该基底，

其中该存储器单元还包括：一位元线；以及一接触结构，该漏极区借着该接触结构电性连接至该位元线，

其中该接触结构形成在该漏极区的顶部上，而且

其中该接触结构为一帽状结构，且环状围绕至少该漏极区的侧壁的一部分。

2.如权利要求1所述的存储器单元，其中该深沟渠电容器包括一埋入板、一储存节点以及一节点介电层，而该节点介电层夹在该埋入板和该储存节点之间。

3.如权利要求2所述的存储器单元，还包括一扩散区，形成在该基底中，且电性连接至该深沟渠电容器的储存节点和该垂直晶体管的源极区。

4.如权利要求3所述的存储器单元，其中该基底包括一第一导电型；该源极区、该漏极区和该扩散区包括一第二导电型；且该第一导电型与该第二导电型互补。

5.如权利要求4所述的存储器单元，其中该扩散区的一掺杂浓度、该源极区的一掺杂浓度和该漏极区的一掺杂浓度实质相同。

6.如权利要求1所述的存储器单元，其中该源极区、该漏极区和该通道区包括一磊晶半导体材料。

7.如权利要求1所述的存储器单元，其中该深沟渠电容器的一深度长至少为该垂直晶体管的一高度长的二十倍。

8.如权利要求1所述的存储器单元，其中该垂直电容器的栅极结构包括一栅极导电层和一栅极电介质层，而该栅极电介质层夹在栅极导电层和通道区之间。

9.如权利要求1所述的存储器单元，其中该栅极导电层包括一半导体层。

10.如权利要求1所述的存储器单元，其中该漏极区的高度大于该通道区的高度和该源极区的高度。

11.如权利要求1所述的存储器单元，其中该接触结构至少暴露出部分的该漏极区。