[发明专利]一种图案化的金属导线和基板的组合有效
申请号: | 201810026111.8 | 申请日: | 2013-06-26 |
公开(公告)号: | CN108054176B | 公开(公告)日: | 2022-04-08 |
发明(设计)人: | 朴弘植;李旺宇;金俸均;郑钟铉;林永祐;金奎布;徐源国;申贤哲;韩筵昊;李骐范;曹三永 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/45;H01L29/49;H01L29/786;H05K1/09;H05K3/06 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 周丹;王珍仙 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 图案 金属 导线 组合 | ||
1.一种用于刻蚀包括铜层的金属层的刻蚀剂组合物,包括:
按重量计40%至按重量计60%的磷酸;
按重量计1%至按重量计10%的硝酸;
按重量计3%至按重量计15%的乙酸;
按重量计0.01%至按重量计0.1%的铜离子化合物;
按重量计1%至按重量计10%的硝酸盐;
按重量计1%至按重量计10%的乙酸盐;和
余量的水。
2.根据权利要求1所述的刻蚀剂组合物,其中,所述铜离子化合物包括选自由CuSO4·5H2O、CuSO4·3H2O、Cu(NO3)2·3H2O和Cu2P2O7·3H2O组成的组中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的刻蚀剂组合物,其中,所述硝酸盐包括选自由NH4NO3、NaNO3、KNO3、LiNO3、Mg(NO3)2、Al(NO3)3、Zn(NO3)2、Fe(NO3)3、Ni(NO3)2和Ca(NO3)2组成的组中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的刻蚀剂组合物,其中,所述乙酸盐包括选自由CH3CO2NH4、CH3CO2Na、CH3CO2K、Mg(CH3CO2)2、Ca(CH3CO2)2、Al(CH3CO2)3和CH3CO2Li组成的组中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的刻蚀剂组合物,进一步包括按重量计至多1%的氟代金属酸。
6.根据权利要求5所述的刻蚀剂组合物,其中,所述氟代金属酸包括选自由H2SiF6、HBF4、H2TiF6和H2ZrF6组成的组中的至少一种。
7.根据权利要求1所述的刻蚀剂组合物,其中,所述铜层包括铜或铜合金。
8.一种制造显示基板的方法,所述方法包括:
在基础基板上形成包括铜层的金属层;
在所述金属层上形成光致抗蚀剂图案;和
为具有所述金属层和所述光致抗蚀剂图案的所述基础基板提供刻蚀剂组合物以部分除去所述金属层从而形成信号线,其中所述刻蚀剂组合物包括:按重量计40%至按重量计60%的磷酸;按重量计1%至按重量计10%的硝酸;按重量计3%至按重量计15%的乙酸;按重量计0.01%至按重量计0.1%的铜离子化合物;按重量计1%至按重量计10%的硝酸盐;按重量计1%至按重量计10%的乙酸盐;和余量的水。
9.根据权利要求8所述的方法,其中,所述金属层进一步包括设置在所述铜层之上包含铟和锌的氧化物层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的