[发明专利]一种图案化的金属导线和基板的组合有效
申请号: | 201810026111.8 | 申请日: | 2013-06-26 |
公开(公告)号: | CN108054176B | 公开(公告)日: | 2022-04-08 |
发明(设计)人: | 朴弘植;李旺宇;金俸均;郑钟铉;林永祐;金奎布;徐源国;申贤哲;韩筵昊;李骐范;曹三永 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/45;H01L29/49;H01L29/786;H05K1/09;H05K3/06 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 周丹;王珍仙 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 图案 金属 导线 组合 | ||
一种图案化的金属导线和基板的组合,所述基板具有在其上形成的所述金属导线,所述金属导线包括:包含铟和锌的氧化物层;以及铜基层,设置在所述包含铟和锌的氧化物层之上或之下,其中,所述包含铟和锌的氧化物层的氧化锌量等于或高于按重量计10%并且低于按重量计约35%。用于蚀刻铜基配线层的湿法蚀刻组合物,包含按重量计约40%至按重量计约60%之间的磷酸、按重量计约1%至按重量计约10%之间的硝酸、按重量计约3%至按重量计约15%之间的乙酸、按重量计约0.01%至按重量计约0.1%之间的铜离子化合物、按重量计约1%至按重量计约10%之间的硝酸盐、按重量计约1%至按重量计约10%之间的乙酸盐,和余量的水。
本申请是申请日为2013年6月26日,申请号为201310260941.4,发明名称为“一种图案化的金属导线和基板的组合”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本发明的公开涉及金属配线(布线,wiring)蚀刻剂组合物,涉及用蚀刻剂组合物形成的金属配线并且涉及制造显示基板的方法。更具体地,示范性实施方式涉及用于蚀刻包含铜作为主要成分的金属配线层的蚀刻剂组合物,涉及通过使用蚀刻剂组合物形成的金属配线和使用蚀刻剂组合物制造显示基板的方法。
背景技术
通常,平面或曲面的显示器(例如,液晶显示器或LCD)包括显示基板,该基板具有完整形成于其上的图案化的配线用于相互连接电路如薄膜晶体管(“TFT”),其中后者被用作用于驱动相应的像素、显示器件单元的开关元件。更具体地,所谓的,可以在不同的金属配线层中提供栅极线和数据线作为分别连接到这些TFT中的一些用于控制相应像素电极充电和放电的信号线。然而更具体地,栅极线被配置为用于传送相应的栅极驱动信号并且数据线被配置为用于传送用于各自TFT的各自的栅极端子和源极端子的相应的源驱动信号。
随着显示装置的显示面积尺寸增加并且也随着顾客对具有较高分辩率的显示装置需求的增长,栅极线的长度和数据线的长度增加,然而同时栅极线和数据线的宽度趋向于降低,并且作为结果,如从信号提供源点至位于栅极线或数据线的远端的TFT所见的,电阻不希望地增加了。更具体地,不希望的电阻-电容(“RC”)信号延迟因数变得更大。为了降低相关的RC信号延迟问题,形成包含具有相对较低电阻的金属的栅极线和数据线。例如,铜或铜基(copper based)合金是具有这种相对较低电阻的金属。当用于形成栅极线和数据线时,Cu基材料表现出优异的电导率并且具有与比方说铝或铬相比低得多的电阻。此外,作为自然资源铜是相对丰富的。然而,在大规模生产制作显示板期间,Cu和Cu基导电层对由化学氧化剂蚀刻表现出不希望的大的抗性,与铝或铬对蚀刻的抗性相比,其对蚀刻的抗性显著更高。因此,为了以生产速度蚀刻Cu基导电层,需要显著较强的(更具腐蚀性的)氧化剂用于蚀刻这种铜基导电层从而在各自的金属配线层中形成期望的图案化的信号线。
在现有方法中,虽然包含强氧化剂的铜蚀刻剂在用于蚀刻各个铜层是有效的,但是它们腐蚀性相当高以致于它们容易损伤在先前处理中形成的底层图案。对该问题的一个解决方案是用包含过硫酸类(persulfuric acid-based)化合物的蚀刻剂作为主要蚀刻成分来替代有时用于铜的湿法蚀刻的常规的过氧化物类(peroxide-based)蚀刻剂,这个目的是当蚀刻铜层时,降低对在先前处理中预先形成的图案的损伤性蚀刻。然而,当在室温下存储时,这种过硫酸类蚀刻剂趋向于不稳定,并且在由预定的蚀刻剂溶液的量可以处理的基板最大量方面它们是受限的。
此外,当尝试努力通过增加信号线的厚度来降低RC延迟问题时,由常规蚀刻剂形成的铜配线可能会发展为不希望地小(更尖锐),通过增加配线横截面的基部的尺寸补偿基础锥角,从而不希望地降低了显示器件像素区域的开孔率(opening ratio)(开口率,aperture ratio)。
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发明内容
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的