[发明专利]一种增强QFN封装焊接效果的方法及QFN封装在审
| 申请号： | 201810026643.1 | 申请日： | 2018-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN108257878A | 公开（公告）日： | 2018-07-06 |
| 发明（设计）人： | 于浩 | 申请（专利权）人： | 郑州云海信息技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L23/488 |
| 代理公司： | 济南舜源专利事务所有限公司 37205 | 代理人： | 张亮 |
| 地址： | 450000 河南省郑州市*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 焊接 次底层 底部结构层 焊接不良 零件焊接 高度差 结构层 面积和 锡焊接 爬升 爬锡 引脚 封装 保证 侧面 | ||
【权利要求书】：
1.一种增强QFN封装焊接效果的方法，其特征在于：
步骤1，在QFN封装底部增加內缩结构层，最底部內缩结构层比正常封装尺寸小；
步骤2，在最底部內缩结构层与次底层形成一个高度差，引脚从所述最底部內缩结构层延续至次底层及次底层侧面；
步骤3，进行焊接，在最底部內缩结构层锡焊接，锡爬升至次底层以及次底层的侧面，额外增加焊接的面积。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：引脚从所述最底部內缩结构层延续至次底层及次底层侧面具体为引脚从所述最底部內缩结构层延续至次底层及次底层侧面，形成爬锡通道。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述引脚数量大于或等于1。
4.一种增强QFN焊接效果的封装，其特征在于：
所述增强QFN焊接效果的封装底部有內缩结构层，最底部內缩结构层比正常封装尺寸小；所述最底部內缩结构层与次底层形成有高度差，引脚从所述最底部內缩结构层延续至次底层及次底层侧面；焊接时，在最底部內缩结构层锡焊接，锡爬升至次底层以及次底层的侧面，额外增加焊接的面积。
5.根据权利要求4所述的封装，其特征在于：引脚从所述最底部內缩结构层延续至次底层及次底层侧面具体为引脚从所述最底部內缩结构层延续至次底层及次底层侧面，形成爬锡通道。
6.根据权利要求4所述的封装，其特征在于：所述引脚数量大于或等于1。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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