[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底上具有鳍部，所述鳍部包括隔离区和位于所述隔离区两侧的器件区，所述隔离区鳍部中具有开口，所述开口在平行于衬底表面且垂直于所述鳍部延伸方向上贯穿所述鳍部；

在所述衬底上形成初始隔离结构，所述初始隔离结构覆盖所述鳍部侧壁，且所述初始隔离结构填充所述开口；

在所述隔离区初始隔离结构上形成保护层，所述保护层侧壁表面具有侧墙；

以所述保护层和侧墙为掩膜对所述初始隔离结构进行刻蚀，在所述开口内形成第一隔离结构，并形成覆盖鳍部侧壁的第二隔离结构，所述第二隔离结构表面低于所述鳍部顶部表面；

形成所述第一隔离结构和第二隔离结构之后，还包括：去除所述侧墙；去除所述侧墙之后，在所述鳍部中形成外延层，所述外延层还位于所述鳍部上的第一隔离结构上。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护层的材料为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、无定型碳或非晶硅；所述侧墙的材料为氮化硅、无定型碳或非晶硅。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护层在沿鳍部延伸方向上的尺寸为72埃～88埃；所述保护层沿垂直于衬底表面方向上的尺寸为90埃～110埃。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述保护层之后，在所述保护层侧壁表面形成侧墙。

5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成侧墙的步骤包括：在所述保护层侧壁和顶部上形成侧墙层；去除所述保护层顶部上的侧墙层，形成侧墙。

6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述侧墙层的形成方法包括沉积工艺，所述沉积工艺包括原子层沉积工艺、化学气相沉积工艺或物理气相沉积工艺。

7.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护层与所述侧墙层的材料相同，所述保护层与侧墙层的密度不相同；或者，所述保护层与所述侧墙层的材料不相同。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述侧墙的厚度为27埃～33埃。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述保护层和侧墙的方法包括：在所述鳍部和初始隔离结构上形成保护结构膜；在所述保护结构膜上形成图形化的光刻胶，所述光刻胶暴露出所述隔离区保护结构膜；以所述光刻胶为掩膜对所述保护结构膜进行刻蚀，去除所述器件区保护结构膜，形成保护结构，所述保护结构包括保护层和位于所述保护层侧壁表面的侧墙。

10.如权利要求5或9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护层的形成方法包括沉积工艺，所述沉积工艺包括高密度等离子体沉积工艺、高深宽比沉积工艺或物理气相沉积工艺。

11.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护层沿垂直于衬底顶部表面方向上的尺寸大于所述侧墙的厚度。

12.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述侧墙位于所述鳍部顶部上。

13.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述外延层之前，还包括：对所述鳍部进行刻蚀，在所述鳍部中形成凹槽；所述外延层位于所述凹槽中。

14.如权利要求13所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述凹槽之后，去除所述侧墙；

或者，所述第一隔离结构还位于所述鳍部顶部上；形成所述凹槽之前，去除所述侧墙。