[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底上具有第一鳍部、以及分别位于第一鳍部两侧的第二鳍部和第三鳍部，所述第一鳍部到第二鳍部的距离与第一鳍部到第三鳍部的距离不同，所述第一鳍部的顶部表面具有掩膜层；

在所述基底表面形成初始隔离层，所述初始隔离层覆盖第一鳍部的侧壁以及掩膜层的部分侧壁；

去除所述掩膜层，在所述初始隔离层内形成第一开口；

在所述初始隔离层表面以及第一开口内形成牺牲膜，所述牺牲膜内具有位于第一开口上的第二开口，所述第二开口的深度小于第一开口的深度。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述基底、第一鳍部、第二鳍部和第三鳍部的形成步骤包括：提供初始基底，所述初始基底表面具有所述掩膜层，所述掩膜层暴露出部分初始的顶部表面；以所述掩膜层为掩膜，刻蚀所述初始基底，形成基底、位于基底上第一鳍部、以及位于第一鳍部两侧的第二鳍部和第三鳍部。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述初始隔离层的形成步骤包括：在所述基底表面、第一鳍部的侧壁、以及掩膜层的侧壁和顶部表面形成隔离材料膜；平坦化所述隔离材料膜，直至暴露出掩膜层的顶部表面；平坦化所述隔离材料膜之后，去除部分隔离材料膜，暴露出掩膜层的部分侧壁，形成所述初始隔离层。

4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述隔离材料膜的材料包括氧化硅；所述隔离材料膜的形成工艺包括流体化学气相沉积工艺。

5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一开口底部暴露出第一鳍部一侧部分初始隔离层的顶部表面。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述牺牲膜的材料包括：氧化硅。

7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述牺牲膜的形成工艺包括：原子层沉积工艺。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述牺牲膜的厚度与第一开口沿鳍部宽度方向上尺寸的一半的差值大于50埃。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述牺牲膜之后，所述形成方法还包括：去除部分牺牲膜，形成牺牲层，所述牺牲层内具有第三开口，所述第三开口的深度小于第二开口的深度。

10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的形成工艺包括：湿法刻蚀工艺、Certas或者SiCoNi工艺。

11.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述牺牲层之后，所述形成方法还包括：去除所述牺牲层和部分初始隔离层，形成隔离层，所述隔离层的顶部表面低于第一鳍部的顶部表面，且覆盖第一鳍部的部分侧壁；形成所述隔离层之后，形成横跨第一鳍部的栅极结构，所述栅极结构覆盖第一鳍部的部分侧壁和顶部表面；在所述栅极结构两侧的第一鳍部内形成源漏掺杂区。

12.一种半导体结构，其特征在于，包括：

基底，所述基底上具有第一鳍部、以及分别位于第一鳍部两侧的第二鳍部和第三鳍部，所述第一鳍部到第二鳍部的距离与第一鳍部到第三鳍部的距离不同；

位于基底上的初始隔离层，所述初始隔离层覆盖第一鳍部的侧壁；

位于所述初始隔离层的第一开口；所述第一开口位于所述第一鳍部顶部；

位于所述初始隔离层和第一开口内的牺牲膜，所述牺牲膜内具有位于第一开口上的第二开口，所述第二开口的深度小于第一开口的深度。

13.如权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，初始隔离层的材料包括：氧化硅。