[发明专利]提高温度均匀度的基座有效
申请号: | 201810027063.4 | 申请日: | 2018-01-11 |
公开(公告)号: | CN108321114B | 公开(公告)日: | 2020-05-22 |
发明(设计)人: | 朴相明;沈国宝 | 申请(专利权)人: | 合肥微睿光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L21/67 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 230000 安徽省合*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 提高 温度 均匀 基座 | ||
本发明公开了提高温度均匀度的基座,包括本体,本体的内部设置固定有电热板,电热板的底端开设有插入槽,插入槽的一端与连接槽连通,连接槽开设在电热板的中部,且电热板的中部开设有热感应器槽,本体的底端设置固定有盖板,盖板的内部开设有滑槽,滑槽顶端的内壁和滚球滚动连接,滚球安装在支撑架的顶端,支撑架的一侧设置固定有补助电热板,补助电热板的内部铺设有补助电热线,支撑架的一端和转轴的一端焊接固定,转轴穿插过盖板的一端和螺帽的一端焊接固定。本发明提高温度均匀度的基座,提高电热板中心部位的温度,从而提高整体的温度均匀度,以此得到在蒸镀工艺中显著降低被处理物不良发生率的效果。
技术领域
本发明涉及基座技术领域,尤其涉及提高温度均匀度的基座。
背景技术
一般情况下,在晶圆及玻璃基座上蒸镀或刻蚀薄膜的工艺,会在包括真空腔室的半导体工程装备中进行,半导体工程装备以化学气相蒸着装备为例,会包括支撑晶圆及玻璃基座的基座、配备前述基座的腔室、形成薄膜的装备等部分,原有的基座由电热板和冷却板构成。电热板具备作为发热手段的电热线,冷却板具备冷却手段。电热板形成有插入电热线的插入槽,冷却板形成有插入冷却手段的冷却手段插入槽。电热板的中心部位有可插入热感应器的热感应器槽,热感应器槽的入口有导引热感应器组装的圆锥形热感应器导引,电热板及冷却板依靠支撑架支撑。电热线、冷却手段及热感应器通过支撑架连接到外部的电源及信号加载装置,通过电热板及冷却板中心部位形成的电热板空间部位及冷却板空间部位向支撑架方向延长,插入槽插入电热线后会盖住电热线护套。电热线由第一电热线的起端部及末端部、第二电热线的起端部及末端部、第三电热线的起端部及末端部构成。原有的基座有着支撑架位置的电热板中心部位温度较其他部位偏低的问题点,结果基座的整体温度均匀度降低,导致蒸镀工艺中被处理物的不良率增加,且支撑架为单一固定的,不能确保基座的水平。
发明内容
本发明的目的是为了解决现有技术中存在的缺点,而提出的提高温度均匀度的基座。
为了实现上述目的,本发明采用了如下技术方案:
提高温度均匀度的基座,包括本体,所述本体的内部设置固定有电热板,电热板的底端开设有插入槽,插入槽的一端与连接槽连通,连接槽开设在电热板的中部,且电热板的中部开设有热感应器槽,本体的底端设置固定有盖板,盖板的内部开设有滑槽,滑槽顶端的内壁和滚球滚动连接,滚球安装在支撑架的顶端,支撑架的一侧设置固定有补助电热板,补助电热板的内部铺设有补助电热线,支撑架的一端和转轴的一端焊接固定,转轴穿插过盖板的一端和螺帽的一端焊接固定。
优选的,所述电热板的内部铺设有电热线。
优选的,所述支撑架的内侧底端和伸缩板的一端焊接固定,支撑架为中空结构,且支撑架的顶端连通有冷却槽,冷却槽开设在盖板的中部。
优选的,所述支撑架的一侧设置固定有凹槽,凹槽内安装有轴承,轴承的中部插设固定有转轴,且转轴的外侧设置有螺纹。
优选的,所述盖板的一侧设置有通孔,且通孔的壁设置有螺纹,通孔和转轴通过螺纹连接。
优选的,所述支撑架的顶端设置有凹槽,凹槽内设置固定有转动轴,转动轴的中部插设有滚球。
本发明的有益效果是:
1、本发明通过提高温度均匀度的基座,会提高电热板中心部位的温度,从而提高整体的温度均匀度,以此得到在蒸镀工艺中显著降低被处理物不良发生率的效果。
2、本发明通过旋转螺帽,螺帽转动带动转轴转动,转轴带动支撑架移动,能够使得支撑架进行水平移动,使得基座放置的更加平稳。
附图说明
图1为本发明提出的提高温度均匀度的基座的结构示意图;
图2为本发明提出的提高温度均匀度的基座的电热板的俯视图。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥微睿光电科技有限公司,未经合肥微睿光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810027063.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:扇出型封装方法
- 下一篇:一种用于晶圆外延衬底材料生长的托舟结构
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造