[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底表面具有鳍部，所述鳍部包括隔离区和位于所述隔离区两侧的器件区，所述隔离区鳍部中具有开口，所述开口在平行于基底表面且垂直于所述鳍部延伸方向上贯穿所述鳍部；

在所述基底的表面、以及鳍部的侧壁和顶部表面形成初始隔离结构，且所述初始隔离结构填充所述开口；

在所述隔离区部分初始隔离结构上形成保护层，所述保护层侧壁表面具有侧墙，且所述侧墙覆盖部分鳍部顶部初始隔离结构的顶部表面；

以所述保护层和侧墙为掩膜，去除部分所述初始隔离结构，在所述隔离区形成第一隔离结构，所述第一隔离结构充满所述开口，并在器件区形成覆盖鳍部部分侧壁的第二隔离结构，所述第二隔离结构的顶部表面低于鳍部的顶部表面。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述开口沿鳍部延伸方向上的尺寸为：16纳米～20纳米。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护层沿鳍部延伸方向上的尺寸为：18纳米～22纳米。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述侧墙沿鳍部延伸方向上的尺寸为：1纳米～2纳米。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述初始隔离结构的材料包括：氧化硅；所述初始隔离结构的形成工艺包括：流体化学气相沉积工艺。

6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护层的材料包括：氮化硅、氮氧化硅、无定型碳或非晶硅；所述侧墙的材料为氮化硅、氮氧化硅、无定型碳或非晶硅。

7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护层的材料和侧墙的材料不同。

8.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护层的形成方法包括：在所述初始隔离结构表面形成牺牲层，所述牺牲层暴露出所述开口内的初始隔离结构；在所述开口内的初始隔离结构表面、以及所述牺牲层的侧壁和顶部表面形成初始保护层；对所述初始保护层进行平坦化处理，直至暴露出牺牲层的顶部表面，在所述开口内的初始隔离结构表面形成保护层；形成所述保护层之后，去除所述牺牲层；所述侧墙的形成方法包括：在所述初始隔离结构表面、以及保护层的侧壁和顶部表面形成侧墙层；去除所述初始隔离结构和保护层表面的侧墙层，在所述保护层的侧壁形成侧墙；所述保护层的材料和侧墙的材料相同，且所述初始保护层和侧墙层的形成工艺不同。

9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述初始保护层的形成工艺包括：高密度等离子体沉积工艺、高深宽比沉积工艺或物理气相沉积工艺；所述侧墙层的形成工艺包括原子层沉积工艺、化学气相沉积工艺或物理气相沉积工艺。

10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一隔离结构和第二隔离结构之后，所述形成方法还包括：去除所述侧墙；去除所述侧墙之后，在所述保护层表面形成伪栅极层；在所述伪栅极层的侧壁形成偏移侧墙，且所述偏移侧墙也位于所述保护层表面；在所述伪栅极层和偏移侧墙两侧的器件区鳍部内形成外延层。

11.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述伪栅极层沿鳍部延伸方向上的尺寸为14纳米～18纳米。