[发明专利]阵列基板及其制造方法、触控显示面板、触控显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

形成在衬底基板上的薄膜晶体管；

绝缘平坦化层，所述绝缘平坦化层位于所述薄膜晶体管上，所述绝缘平坦化层中具有暴露出所述薄膜晶体管的漏极的过孔；

像素电极，所述像素电极位于所述绝缘平坦化层背向所述薄膜晶体管的一侧，所述像素电极通过所述过孔与所述薄膜晶体管的漏极连接；

公共电极，所述公共电极位于所述像素电极背向所述绝缘平坦化层的一侧；

触控电极，所述触控电极位于所述公共电极背向所述像素电极的一侧，所述触控电极与对应的所述公共电极连接。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述绝缘平坦化层的层数为一层或多层；所述绝缘平坦化层的层数为一层时，该层绝缘平坦化层的厚度大于或等于6μm；所述绝缘平坦化层的层数为多层时，多层所述绝缘平坦化层的总厚度大于或等于6μm。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述绝缘平坦化层的层数为两层，其中，靠近所述薄膜晶体管的一层所述绝缘平坦化层的厚度大于或等于4μm，远离所述薄膜晶体管的一层所述绝缘平坦化层的厚度为2μm～4μm。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述绝缘平坦化层的材料为亚克力。

5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括保护层，所述保护层覆盖所述触控电极。

6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括位于所述衬底基板上的数据线，所述薄膜晶体管的源极与对应的所述数据线连接；所述触控电极在所述衬底基板上的正投影与所述数据线在所述衬底基板上的正投影对应。

7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，除所述公共电极与对应的所述触控电极连接的部位以外，所述公共电极在所述衬底基板上的正投影与所述触控电极在所述衬底基板上的正投影不重叠。

8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管。

9.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极与所述公共电极之间设置有第一介电层，所述公共电极与所述触控电极之间设置有第二介电层。

10.根据权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述第一介电层的材料为无机材料，所述第二介电层的材料为无机材料。

11.一种触控显示面板，其特征在于，所述触控显示面板包括如权利要求1～10任一所述的阵列基板。

12.一种触控显示装置，其特征在于，所述触控显示装置包括如权利要求11所述的触控显示面板。

13.一种如权利要求1～10任一所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：

步骤S1、提供衬底基板；

步骤S2、在所述衬底基板上形成薄膜晶体管；

步骤S3、形成绝缘平坦化层以及所述绝缘平坦化层中的过孔，其中，所述绝缘平坦化层位于所述薄膜晶体管上，所述绝缘平坦化层中的过孔暴露出所述薄膜晶体管的漏极；

步骤S4、形成像素电极，所述像素电极通过所述绝缘平坦化层中的过孔与所述薄膜晶体管的漏极连接；

步骤S5、形成公共电极；

步骤S6、形成触控电极，所述触控电极与对应的所述公共电极连接。

14.根据权利要求13所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述绝缘平坦化层的层数为多层时，所述步骤S3包括：

步骤S31、沉积一层所述绝缘平坦化层；

步骤S32、在所述绝缘平坦化层中形成暴露出所述漏极的过孔；

步骤S33、重复所述步骤S31和所述步骤S32多次，在后一次形成的绝缘平坦化层中形成的过孔与在前一次形成的绝缘平坦化层中形成的过孔相互连通。

15.根据权利要求13所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，

所述步骤S4之后、所述步骤S5之前，所述阵列基板的制造方法还包括：

步骤S4’、形成第一介电层；

所述步骤S5之后、所述步骤S6之前，所述阵列基板的制造方法还包括：

步骤S5’、形成第二介电层；

所述步骤S6之后，所述阵列基板的制造方法还包括：

步骤S7、形成保护层。