[发明专利]阵列基板及其制造方法、触控显示面板、触控显示装置在审
申请号: | 201810027586.9 | 申请日: | 2018-01-11 |
公开(公告)号: | CN107957822A | 公开(公告)日: | 2018-04-24 |
发明(设计)人: | 马明超;樊君;李付强 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
主分类号: | G06F3/041 | 分类号: | G06F3/041 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 制造 方法 显示 面板 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及触控显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板及其制造方法、触控显示面板、触控显示装置。
背景技术
触控显示装置是一种即可以实现显示又可以实现触控的装置,目前,触控显示装置通常包括触控显示面板,触控显示面板通常包括显示面板和触控面板,根据触控面板与显示面板的相对位置关系,可以将触控显示面板划分为内置式触控显示面板和外挂式触控显示面板(Out-cell),其中,内置式触控显示面板又可以分为内置面内式触控显示面板(In-cell,也称为内嵌式触控显示面板)和内置面上式触控显示面板(On-cell),由于内置面内式触控显示面板(In-cell)便于制造轻薄化的产品,得到广泛的研究和应用。
现有的一种内置面内式触控显示面板(In-cell)通常包括阵列基板,该阵列基板通常包括:衬底基板,依次形成在衬底基板上的薄膜晶体管、触控电极、公共电极和像素电极,触控电极与对应的公共电极连接,像素电极与对应的薄膜晶体管的漏极连接,薄膜晶体管与触控电极之间形成有一层绝缘平坦化层。设置有上述阵列基板的触控显示面板工作时,在显示阶段,薄膜晶体管导通,为像素电极提供像素电压信号,触控电极为公共电极提供公共电压信号,像素电极与公共电极之间构成电压差,实现触控显示面板的显示功能,在触控阶段,触控电极为公共电极提供触控电压信号,公共电极感受到触控后其电压发生变化,实现触控显示面板的触控功能。
然而,上述阵列基板中,像素电极位于公共电极背向薄膜晶体管的一侧,设置有上述阵列基板的触控显示面板工作时,在显示阶段,公共电极与薄膜晶体管中的电极如源极之间容易形成较大的电容,因此,为了实现触控显示面板的良好显示,通常需要增加为公共电极提供的公共电压信号的大小,从而造成触控显示面板工作时的功耗增加;同时,上述阵列基板中,触控电极形成在绝缘平坦化层上,而目前触控电极的材料通常为金属,且通常采用溅射工艺形成触控电极,绝缘平坦化层的材料通常为有机材料,因而采用溅射工艺形成触控电极时,容易使得绝缘平坦化层在温度较高的溅射腔室内发生分解,造成溅射腔室的污染。
发明内容
本发明的目的在于提供一种阵列基板,用于降低触控显示面板工作时的功耗,同时避免因在有机材料上形成金属的触控电极而造成溅射腔室的污染。
为了实现上述目的,本发明提供如下技术方案:
一种阵列基板,包括:
形成在衬底基板上的薄膜晶体管;
绝缘平坦化层,所述绝缘平坦化层位于所述薄膜晶体管上,所述绝缘平坦化层中具有暴露出所述薄膜晶体管的漏极的过孔;
像素电极,所述像素电极位于所述绝缘平坦化层背向所述薄膜晶体管的一侧,所述像素电极通过所述过孔与所述薄膜晶体管的漏极连接;
公共电极,所述公共电极位于所述像素电极背向所述绝缘平坦化层的一侧;
触控电极,所述触控电极位于所述公共电极背向所述像素电极的一侧,所述触控电极与对应的所述公共电极连接。
可选的,所述绝缘平坦化层的层数为一层或多层;所述绝缘平坦化层的层数为一层时,该层绝缘平坦化层的厚度大于或等于6μm;所述绝缘平坦化层的层数为多层时,多层所述绝缘平坦化层的总厚度大于或等于6μm。
可选的,所述绝缘平坦化层的层数为两层,其中,靠近所述薄膜晶体管的一层所述绝缘平坦化层的厚度大于或等于4μm,远离所述薄膜晶体管的一层所述绝缘平坦化层的厚度为2μm~4μm。
可选的,所述绝缘平坦化层的材料为亚克力。
可选的,所述阵列基板还包括保护层,所述保护层覆盖所述触控电极。
可选的,所述阵列基板还包括位于所述衬底基板上的数据线,所述薄膜晶体管的源极与对应的所述数据线连接;所述触控电极在所述衬底基板上的正投影与所述数据线在所述衬底基板上的正投影对应。
可选的,除所述公共电极与对应的所述触控电极连接的部位以外,所述公共电极在所述衬底基板上的正投影与所述触控电极在所述衬底基板上的正投影不重叠。
可选的,所述薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管。
可选的,所述像素电极与所述公共电极之间设置有第一介电层,所述公共电极与所述触控电极之间设置有第二介电层。
可选的,所述第一介电层的材料为无机材料,所述第二介电层的材料为无机材料。
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