[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201810028549.X | 申请日： | 2018-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN110034013B | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 刘福海 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 方亮 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置的制造方法，包括：
提供半导体结构，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括第一掺杂区；和在所述第一掺杂区上的第一栅极结构；
在所述第一掺杂区中形成分别位于所述第一栅极结构两侧的源极和漏极；
其中，所述半导体结构还包括：与所述第一掺杂区隔离开的第二掺杂区，以及在所述第一掺杂区与所述第二掺杂区之间的沟槽隔离部；所述源极或所述漏极位于所述第一掺杂区的靠近所述沟槽隔离部的边缘处；离子注入的方向朝向在所述边缘处的源极或漏级的靠近所述沟槽隔离部的斜面；
通过离子注入工艺向所述源极和所述漏极注入掺杂物，其中，所述掺杂物的导电类型与所述源极和所述漏极的导电类型相同，所述离子注入的方向与所述第一掺杂区的上表面成夹角，所述夹角为0－30度；所述掺杂物用以提高漏极电流。
2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，
在提供半导体结构的步骤中，所述半导体结构还包括：在所述第二掺杂区上的第二栅极结构，以及覆盖所述第二掺杂区和所述第二栅极结构的硬掩模层；
所述方法还包括：
在执行所述离子注入之后，去除所述硬掩模层。
3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，
向所述源极和所述漏极所注入的所述掺杂物的材料包括：硼或二氟化硼。
4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述半导体衬底中形成分别位于所述栅极结构两侧的源极和漏极包括：
在所述半导体衬底中形成分别位于所述栅极结构两侧的第一凹陷和第二凹陷；以及
在所述第一凹陷和所述第二凹陷中分别外延形成源极和漏极。
5.如权利要求4所述的制造方法，其特征在于，
所述源极和所述漏极的导电类型与所述第一掺杂区的导电类型相反。
6.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，
所述第一掺杂区的导电类型为N型；所述掺杂物的导电类型为P型。
7.如权利要求1所述制造方法，其特征在于，
所述沟槽隔离部包括：在所述第一掺杂区与所述第二掺杂区之间的沟槽和填充所述沟槽的沟槽绝缘物。
8.如权利要求1所述制造方法，其特征在于，
所述第一掺杂区与所述第二掺杂区的导电类型相反。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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