[发明专利]光电子器件及其封装结构

权利要求书

1.一种光电子器件的封装结构，其特征在于，包括：

高频电极；

低频电极；

高频传输线，与所述高频电极直接相连；和

低频传输线，与所述低频电极直接相连或间接相连;

信号传输单元，其上具有第一高频电极；和

电路板，其上具有所述高频传输线，所述高频传输线的一端与所述第一高频电极直接相连；其中，所述高频电极包括所述第一高频电极，所述第一高频电极和所述高频传输线均为共面波导传输线；

光电探测单元，固定在所述电路板上、并与所述低频传输线的另一端和所述高频传输线的另一端采用焊剂直接进行焊接连接；

所述低频传输线位于所述电路板的上表面上，所述高频传输线位于所述电路板的下表面上，所述光电探测单元固定在所述电路板的下表面上；且所述电路板上设置有过孔，所述过孔对应处于所述低频传输线的另一端，所述高频传输线的另一端与所述光电探测单元采用焊球或焊柱直接进行倒装焊接，所述低频传输线的另一端通过所述过孔与所述光电探测单元采用焊球或焊柱直接进行倒装焊接，所述焊剂为焊球或焊柱。

2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括：

信号传输单元，其上具有第一低频电极；和

电路板，其上具有所述低频传输线，所述低频传输线的一端与所述第一低频电极直接相连或间接相连；

其中，所述低频电极包括所述第一低频电极。

3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，当所述低频传输线的一端与所述第一低频电极间接相连，还包括：

连接线，所述低频传输线的一端与所述第一低频电极通过所述连接线间接相连。

4.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，所述连接线为金丝。

5.根据权利要求2至4中任一项所述的封装结构，其特征在于，所述第一高频电极包括位于所述信号传输单元两端且相互对应电连接的两组，所述第一低频电极包括位于所述信号传输单元两端且相互对应电连接的两组，所述低频传输线的一端和所述高频传输线的一端均对应与所述信号传输单元的同一端的所述第一高频电极和所述第一低频电极电连接。

6.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述光电探测单元包括互阻放大器，所述互阻放大器具有第二高频电极和第二低频电极，所述第二高频电极与所述高频传输线的另一端采用焊球或焊柱直接进行倒装焊接，所述第二低频电极与所述低频传输线的另一端通过所述过孔采用焊球或焊柱直接进行倒装焊接；

其中，所述高频电极还包括所述第二高频电极，所述低频电极还包括所述第二低频电极。

7.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述光电探测单元包括探测器，所述探测器具有第二高频电极，所述第二高频电极与所述高频传输线的另一端采用焊球或焊柱进行倒装焊接、同时还与所述低频传输线的另一端通过所述过孔采用焊球或焊柱进行倒装焊接；其中，所述高频电极还包括所述第二高频电极。

8.一种光电子器件，其特征在于，包括有如权利要求1至7中任一项所述的光电子器件的封装结构。